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半导体分立器件 3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反压晶体管详细规范

标准
标准编号:SJ 20176-1992 标准状态:现行
标准价格:16.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
本规范规定了3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反压晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
英文名称:  Semiconductor discrete device-Detail specification for NPN silicon low-power high-reverse-voltage transistor of Types 3DG3439 and 3DG3440
什么是中标分类? 中标分类:  矿业>>矿业综合>>D01技术管理
发布部门:  中国电子工业总公司
发布日期:  1992-11-19
实施日期:  1993-05-01
提出单位:  中国电子工业总公司科技质量局
什么是归口单位? 归口单位:  中国电子技术标准化研究所
起草单位:  中国电子技术标准化研究所和国营八二三一厂
起草人:  王长福、吴鑫奎、龚云
页数:  12页
出版社:  电子工业出版社
出版日期:  1993-04-01
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