半导体分立器件 ３ＤＧ３４３９型和３ＤＧ３４４０型ＮＰＮ硅小功率高反压晶体管详细规范 |
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| 标准编号：SJ 20176-1992 |
标准状态：现行 |
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| 标准价格：16.0 元 |
客户评分：  |
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本规范规定了3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反压晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。 |
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| 英文名称： |
Semiconductor discrete device-Detail specification for NPN silicon low-power high-reverse-voltage transistor of Types 3DG3439 and 3DG3440 |
 中标分类： |
矿业>>矿业综合>>D01技术管理 |
| 发布部门： |
中国电子工业总公司 |
| 发布日期： |
1992-11-19 |
| 实施日期： |
1993-05-01
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| 提出单位： |
中国电子工业总公司科技质量局 |
| 归口单位： |
中国电子技术标准化研究所 |
| 起草单位： |
中国电子技术标准化研究所和国营八二三一厂 |
| 起草人： |
王长福、吴鑫奎、龚云 |
| 页数： |
12页 |
| 出版社： |
电子工业出版社 |
| 出版日期： |
1993-04-01 |
| 标准前页： |
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