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| 英文名称： |
Detail specification for electronic components-Silicon NPN case rated bipolar transistors for low frequency amplification,Type 3DD200 (Applicable for certification) |
| 标准状态： |
已废止 |
 替代情况： |
原标准号GB 9520-88 |
| 中标分类： |
能源、核技术>>能源、核技术综合>>F01技术管理 |
| 发布日期： |
1996-11-20 |
| 实施日期： |
1997-01-01
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| 作废日期： |
2010-01-20
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| 页数： |
13页 |
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