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| 英文名称： |
Test method for dislocation density of GaN single crystal—Cathodoluminescence spectroscopy |
 中标分类： |
冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法 |
| ICS分类： |
冶金>>77.040金属材料试验 |
| 发布部门： |
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2015-12-10 |
| 实施日期： |
2016-11-01
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| 提出单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2) |
| 归口单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2) |
| 起草单位： |
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司 |
| 起草人： |
曾雄辉、张燚、董晓鸣、牛牧童、刘争晖、邱永鑫、王建峰、徐科 |
| 页数： |
12页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
| 出版日期： |
2016-11-01 |