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| 英文名称： |
Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3DA601 C band silicon bipolar power transistor |
 中标分类： |
>>>>L5961 |
| 发布部门： |
中华人民共和国信息产业部 |
| 发布日期： |
2000-10-20 |
| 实施日期： |
2000-10-20
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| 提出单位： |
中华人民共和国信息产业部 |
| 归口单位： |
中国电子技术标准化研究所 |
| 起草单位： |
信息产业部电子第五十五研究所 |
| 起草人： |
黄玉英、钟志新、荣炳麟 |
| 页数： |
12页 |
| 出版社： |
中国电子工业出版社 |
| 出版日期： |
2000-10-20 |
| 标准前页： |
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