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低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法

国家标准
标准编号:GB/T 34481-2017 标准状态:现行
标准价格:24.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
本标准规定了低位错密度锗单晶片的腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。
本标准适用于测试位错密度小于1 000个/cm??2?、直径为75 mm~150 mm的圆形锗单晶片的位错腐蚀坑密度。
英文名称:  Test method for measuring etch pit density(EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices
什么是中标分类? 中标分类:  冶金>>金属理化性能试验方法>>H25金属化学性能试验方法
什么是ICS分类?  ICS分类:  冶金>>77.040金属材料试验
发布部门:  中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期:  2017-10-14
实施日期:  2018-07-01
提出单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
什么是归口单位? 归口单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
起草单位:  云南中科鑫圆晶体材料有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中科院半导体研究所
起草人:  惠峰、普世坤、董汝昆
页数:  8页【彩图】
出版社:  中国标准出版社
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本标准相关公告
·中华人民共和国国家标准批准发布公告2017年第26号 [2017-10-16]

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