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| 英文名称： |
Oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction |
 中标分类： |
冶金>>金属理化性能试验方法>>H26金属无损检验方法 |
| ICS分类： |
电气工程>>绝缘流体>>29.040.01绝缘流体综合 |
| 采标情况： |
ASTM F1239-1994 IDT |
| 发布部门： |
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2004-02-05 |
| 实施日期： |
2004-07-01
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| 首发日期： |
2004-02-05 |
| 复审日期： |
2004-10-14 |
| 提出单位： |
中国有色金属工业协会 |
| 归口单位： |
全国半导体材料和设备标准化技术委员会 |
| 主管部门： |
国家标准化管理委员会 |
| 起草单位： |
洛阳单晶硅有限责任公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所 |
| 起草人： |
蒋建国、屠妹英、贺东江、章云杰 |
| 页数： |
16开， 页数：5， 字数：9千辽 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
| 书号： |
155066.1-20772 |
| 出版日期： |
2004-07-01 |
| 标准前页： |
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