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| 英文名称： |
Detail specification for silicon high speed switching rectifier diodes,Type 2CZ308 |
| 标准状态： |
已废止 |
 中标分类： |
能源、核技术>>能源、核技术综合>>F01技术管理 |
| 采标情况： |
IEC/TC47(CO)959 NEQ |
| 发布部门： |
中华人民共和国电子工业部 |
| 发布日期： |
1986-10-24 |
| 实施日期： |
1987-10-01
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| 作废日期： |
2010-01-20
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| 归口单位： |
中国电子技术标准化研究所 |
| 起草单位： |
天津第三半导体器件厂 |
| 起草人： |
王恩平、孙志昌、黄宗芬、李新华 |
| 页数： |
10页 |
| 出版社： |
电子工业出版社 |
| 出版日期： |
1987-10-01 |
| 标准前页： |
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