| 标准编号 |
标准名称 |
发布部门 |
实施日期 |
状态 |
| SN/T 2003.3-2006 |
电子电气产品中铅、汞、镉、铬和溴的测定 第3部分：X光射线荧光定量筛选法 |
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2006-11-15 |
废止 |
| SN/T 2004.1-2005 |
电子电气产品中汞的测定 第1部分:原子荧光光谱法 |
国家质量监督检验检疫.
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2006-01-18 |
废止 |
| SN/T 2004.2-2005 |
电子电气产品中铅、镉、铬的测定 第2部分:火焰原子吸收光谱法 |
国家质量监督检验检疫.
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2006-01-18 |
废止 |
| SN/T 2004.3-2005 |
电子电气产品中六价铬的测定 第3部分:二苯碳酰二肼分光光度法 |
国家质量监督检验检疫.
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2006-01-18 |
废止 |
| SN/T 2004.4-2006 |
电子电气产品中铅、镉、铬、汞的测定 笫4部分：电感耦合等离子体原子发射光谱法 |
国家质量监督检验检疫.
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2006-11-15 |
现行 |
| SN/T 2004.6-2006 |
电子电气产品中汞的测定 第6部分:冷原子吸收法 |
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2007-03-01 |
废止 |
| SN/T 2004.7-2006 |
电子电气产品中铅、镉的测定 第7部分:原子荧光光谱法 |
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2007-03-01 |
现行 |
| SN/T 2005.1-2005 |
电子电气产品中多溴联苯和多溴联苯醚的测定 第1部分：高效液相色谱法 |
国家质量监督检验检疫.
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2006-01-18 |
废止 |
| SN/T 2005.2-2005 |
电子电气产品中多溴联苯和多溴联苯醚的测定第部分：气相色谱质谱法 |
国家质量监督检验检疫.
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2006-01-18 |
废止 |
| SN/T 2005.3-2006 |
电子电气产品中多溴联苯和多溴二苯醚的测定 第3部分：气象色谱-氢火焰离子化检测器 |
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2006-11-15 |
废止 |
| SN/T 2005.5-2006 |
电子电气产品中多溴联苯和多溴二苯醚的测定 第5部分:高效液相色谱-串联质谱法 |
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2007-03-01 |
现行 |
| SN/T 5297-2021 |
电子电气产品聚合物材料中六溴环十二烷的测定 裂解-气相色谱-质谱定性筛选法 |
海关总署
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2022-01-01 |
现行 |
| SN/T 5492-2023 |
电子电气产品聚合物材料中多溴联苯、多溴二苯醚的测定 裂解-气相色谱-质谱定性筛选法 |
海关总署
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2023-12-01 |
现行 |
| SN/T 5688-2024 |
聚酰胺种类的鉴定 热裂解气相色谱-质谱法 |
海关总署
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2025-07-01 |
现行 |
| T/CAAMTB 187-2024 |
钠离子电池用有机电解液 |
中国汽车工业协会
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2024-04-01 |
现行 |
| T/CAAMTB 188-2024 |
钠离子电池用六氟磷酸钠 |
中国汽车工业协会
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2024-04-01 |
现行 |
| T/CAQI 419-2025 |
氮化镓电子产品生产流程要求 |
中国质量检验协会
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2025-03-11 |
现行 |
| T/CAQI 420-2025 |
氮化镓功率器件质量分级 |
中国质量检验协会
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2025-03-11 |
现行 |
| T/CAQI 421-2025 |
氮化镓电子产品技术和安全规范 |
中国质量检验协会
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2025-03-11 |
现行 |
| T/CAQI 422-2025 |
氮化镓充电器质量分级氮化镓充电器质量分级
氮化镓充电器质量分级 |
中国质量检验协会
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2025-03-11 |
现行 |
| T/CAQI 455-2025 |
离散制造业数字化车间信息体系建设要求 |
中国质量检验协会
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2025-09-30 |
现行 |
| T/CASAS 021-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFE阈值电压测试方法 |
北京第三代半导体产业.
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2024-11-19 |
现行 |
| T/CASAS 033-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法 |
北京第三代半导体产业.
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2024-11-19 |
现行 |
| T/CASAS 037-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）栅极电荷测试方法 |
北京第三代半导体产业.
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2024-11-19 |
现行 |
| T/CASAS 042-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）高温栅偏试验方法 |
北京第三代半导体产业.
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2024-11-19 |
现行 |
| T/CASAS 043-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温反偏试验方法 |
北京第三代半导体产业.
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2024-11-19 |
现行 |
| T/CASAS 044-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）高压高温高湿反偏试验方法 |
北京第三代半导体产业.
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2024-11-19 |
现行 |
| T/CASAS 045-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态栅偏试验方法 |
北京第三代半导体产业.
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2024-11-19 |
现行 |
| T/CASAS 046-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法 |
北京第三代半导体产业.
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2024-11-19 |
现行 |
| T/CASAS 047-2024 |
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态高温高湿反偏(DH3TRB)试验方法 |
北京第三代半导体产业.
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2024-11-19 |
现行 |
| T/CASMES 280-2023 |
柔性光伏支架建设应用技术规范 |
中国中小企业协会
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2023-12-31 |
现行 |
| T/CASMES 502-2024 |
高温热面点火器 |
中国中小企业协会
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2024-12-31 |
现行 |
| T/CASMES 503-2024 |
燃气具点火电极 |
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2024-12-31 |
现行 |
| T/CEC 1089-2025 |
电力宽带微功率无线通信芯片技术要求 |
中国电力企业联合会
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2025-06-30 |
现行 |
| T/CEC 155-2018 |
柔性输电用压接型绝缘栅双极晶体管（IGBT）器件的一般要求 |
中国电力企业联合会
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2018-04-01 |
现行 |
| T/CEMIA 006-2018 |
膜厚监控用石英晶振片 |
中国电子材料行业协会
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2019-03-14 |
现行 |
| T/CEMIA 019-2019 |
显示面板用稀释液 |
中国电子材料行业协会
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2019-11-01 |
现行 |
| T/CEMIA 020-2019 |
显示面板用N-甲基-2-吡咯烷酮 |
中国电子材料行业协会
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2019-11-01 |
现行 |
| T/CEMIA 021-2019 |
厚膜集成电路用电阻浆料规范 |
中国电子材料行业协会
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2019-12-25 |
现行 |
| T/CEMIA 022-2019 |
多层布线用金导体浆料规范 |
中国电子材料行业协会
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2019-12-25 |
现行 |