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| 英文名称： |
Detail specification for electronic components-High frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistor,Type 4CS1191 (Applicable for certification) |
| 标准状态： |
已废止 |
 替代情况： |
原标准号GB 10275-88 |
| 中标分类： |
能源、核技术>>能源、核技术综合>>F01技术管理 |
| 采标情况： |
IEC 47(co)816 MOD |
| 发布部门： |
国家技术监督局 |
| 发布日期： |
1996-11-20 |
| 实施日期： |
1997-01-01
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| 作废日期： |
2010-01-20
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| 起草单位： |
丹东半导体器件总厂 |
| 页数： |
11页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
| 出版日期： |
1997-01-01 |
| 标准前页： |
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