| 标准编号 |
标准名称 |
发布部门 |
实施日期 |
状态 |
| GB 10274-1988 |
电子器件详细规范 4CS119型硅高频双绝缘栅场效应晶体管(可供认证用) |
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1989-08-01 |
作废 |
| GB 10275-1988 |
电子器件详细规范 4CS1191 型硅高频双绝缘栅场效应晶体管(可供认证用) |
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1989-08-01 |
作废 |
| GB 10276-1988 |
电子器件详细规范 4CS142型硅高频双绝缘栅场效应晶体管(可供认证用) |
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1989-08-01 |
作废 |
| GB 10277-1988 |
电子器件详细规范 4CS1421 型硅高频双绝缘栅场效应晶体管(可供认证用) |
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1989-08-01 |
作废 |
| GB 10278-1988 |
电子器件详细规范 CS422OA 型单栅N沟结型场效应晶体管(可供认证用) |
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1989-08-01 |
作废 |
| GB/T 15449-1995 |
管壳额定开关用场效应晶体管空白详细规范 |
国家技术监督局
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1995-08-01 |
现行 |
| GB/T 15450-1995 |
硅双栅场效应晶体管空白详细规范 |
国家技术监督局
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1995-08-01 |
作废 |
| GB/T 21039.1-2007 |
半导体器件 分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范 |
国家质量监督检验检疫.
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2007-11-01 |
现行 |
| GB 4586-1984 |
场效应晶体管测试方法 |
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1985-05-01 |
作废 |
| GB/T 4586-1994 |
半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 |
国家技术监督局
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1995-08-01 |
现行 |
| GB 6219-1986 |
1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范(可供认证用) |
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1987-01-01 |
作废 |
| GB/T 6219-1998 |
半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 １GHｚ、５W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范 |
国家质量技术监督局
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1999-06-01 |
现行 |
| GB 7148-1987 |
电子器件详细规范CS111 CS112 CS113 CS114 CS115 CS116型单栅结型场效应晶体管(可供认证用) |
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1987-09-01 |
作废 |
| GB 9501-1988 |
电子器件详细规范 4CS122型硅高频双绝缘栅场效应晶体管(可供认证用) |
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1988-12-01 |
作废 |
| GB 9502-1988 |
电子器件详细规范 4CS103型硅高频双绝缘栅场效应晶体管(可供认证用) |
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1988-12-01 |
作废 |
| JJG (电子) 04049-1995 |
国洋双栅场效应晶体管CX测试仪试行检定规程 |
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2004-07-01 |
现行 |
| SJ/T 10834-1996 |
电子器件详细规范 ＣＳ１１１、ＣＳ１１２、ＣＳ１１３、ＣＳ１１４、ＣＳ１１５、ＣＳ１１６型单栅结型场效应晶体管（可供认证用） |
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1997-01-01 |
废止 |
| SJ/T 10956-1996 |
电子器件详细规范 ４ＣＳ１２２型硅高频双绝缘栅场效应晶体管（可供认证用） |
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1997-01-01 |
废止 |
| SJ/T 10957-1996 |
电子器件详细规范 ４ＣＳ１０３型硅高频双绝缘栅场效应晶体管（可供认证用） |
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1997-01-01 |
废止 |
| SJ/T 11055-1996 |
电子器件详细规范 ４ＣＳ１１９型硅高频双绝缘栅场效应晶体管（可供认证用） |
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1997-01-01 |
废止 |
| SJ/T 11056-1996 |
电子器件详细规范 ４ＣＳ１１９１型硅高频双绝缘栅场效应晶体管（可供认证用） |
国家技术监督局
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1997-01-01 |
废止 |
| SJ/T 11057-1996 |
电子器件详细规范 ４ＣＳ１４２型硅高频双绝缘栅场效应晶体管（可供认证用） |
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1997-01-01 |
废止 |
| SJ/T 11058-1996 |
电子器件详细规范 ４ＣＳ１４２１型硅高频双绝缘栅场效应晶体管（可供认证用） |
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1997-01-01 |
废止 |
| SJ/T 11059-1996 |
电子器件详细规范 ＣＳ４２２０Ａ型单栅Ｎ沟结型场效应晶体管（可供认证用） |
国家技术监督局
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1997-01-01 |
废止 |
| SJ/T 11824-2022 |
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等效电容和电压变化率测试方法 |
工业和信息化部
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2023-01-01 |
现行 |