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| 英文名称： |
Semiconductor devices- Discrete devices- Part 8:Field-effect transistors -Section One-Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz |
 替代情况： |
GB/T 6219-1986 |
| 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L42半导体三极管 |
| ICS分类： |
电子学>>半导体器件>>31.080.30三极管 |
| 采标情况： |
idt IEC 747-8-1:1987 QC 750112 |
| 发布部门： |
国家质量技术监督局 |
| 发布日期： |
1998-01-01 |
| 实施日期： |
1999-06-01
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| 首发日期： |
1986-04-12 |
| 复审日期： |
2023-12-28 |
| 归口单位： |
全国半导体器件标准化技术委员会 |
| 主管部门： |
信息产业部（电子） |
| 起草单位： |
电子工业部标准化所 |
| 页数： |
平装16开， 页数：18， 字数：31千字 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
| 书号： |
155066.1-15869 |
| 出版日期： |
2004-08-26 |
| 标准前页： |
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