薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片 |
 |
| 标准编号：GB/T 14620-2013 |
标准状态：现行 |
|
| 标准价格：31.0 元 |
客户评分：  |
|
|
本标准有现货可当天发货一线城市最快隔天可到！ |
|
|
|
|
|
本标准规定了薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片的要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。
本标准适用于薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片(以下简称“基片”)的生产和采购,采用薄膜工艺的片式元件用氧化铝陶瓷基片也可参照使用。 |
|
|
|
| 英文名称： |
Alumina ceramic substrates for thin film integrated circuits |
 替代情况： |
替代GB/T 14620-1993 |
| 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>电子设备专用材料、零件、结构件>>L90电子技术专用材料 |
| ICS分类： |
31.030 |
| 发布部门： |
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2013-11-12 |
| 实施日期： |
2014-04-15
|
| 提出单位： |
中华人民共和国工业和信息化部 |
| 归口单位： |
中国电子技术标准化研究院 |
| 主管部门： |
中国电子技术标准化研究院 |
| 起草单位： |
中国电子技术标准化研究院 |
| 起草人： |
曹易、李晓英 |
| 页数： |
16页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
| 出版日期： |
2014-04-15 |
|
|
|
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T14620—1993《薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片》,与GB/T14620—1993相比,主要变化如下:
———增加了术语和产品标识(见第3章和第4章);
———增加了对标称氧化铝含量不能小于实际含量的要求(见4.3);
———细化了划线前后可能对基片外形尺寸造成影响的指标(见5.2.2);
———增加了对基片直线度的要求(见表2);
———区分烧结和抛光基片(见表1和表5);
———对基片翘曲度的测试进行了详细说明(见附录A)。
本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本标准由中国电子技术标准化研究院归口。
本标准起草单位:中国电子技术标准化研究院。
本标准主要起草人:曹易、李晓英。
本标准所代替标准的历次版本发布情况:
———GB/T14620—1993。 |
|
|
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1958 产品几何量技术规范(GPS) 形状和位置公差 检测规定
GB/T2413 压电陶瓷材料体积密度测量方法
GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T2829 周期检查计数抽样程序及抽样表(适用于生产过程稳定性的检查)
GB/T5593 电子元器件结构陶瓷材料
GB/T5594.3 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 平均线膨胀系数测试方法
GB/T5594.4 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 介质损耗角正切值的测试方法
GB/T5594.5 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 体积电阻率测试方法
GB/T5594.7 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 透液性测试方法
GB/T5598 氧化铍瓷导热系数测定方法
GB/T6062 产品几何技术规范(GPS) 表面结构 轮廓法 接触(触针)式仪器的标称特性
GB/T6900 铝硅系耐火材料化学分析方法
GB/T9531.1 电子陶瓷零件技术条件
GB/T14619—2013 厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片
GB/T16534—2009 精细陶瓷室温硬度试验方法
GJB548B—2005 微电子器件试验方法和程序
GJB1201.1—1991 固体材料高温热扩散率测试方法 激光脉冲法 |
|
|
|
| |