|
| 英文名称： |
Test method for flatness of monocrystalline silicon carbide wafers |
 中标分类： |
冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法 |
| ICS分类： |
冶金>>77.040金属材料试验 |
| 发布部门： |
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2015-12-10 |
| 实施日期： |
2017-01-01
|
| 提出单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2) |
| 归口单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 主管部门： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/T |
| 起草单位： |
北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所。 |
| 起草人： |
陈小龙、郑红军、张玮、郭钰。 |
| 页数： |
8页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
| 出版日期： |
2017-01-01 |