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| 英文名称： |
Test method of surface defects for silicon carbide epitaxial wafers |
 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>电子元件>>L17电感器、变压器 |
| ICS分类： |
冶金>>金属材料试验>>77.040.01金属材料试验综合 |
| 发布部门： |
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 |
| 发布日期： |
2017-12-20 |
| 实施日期： |
2017-12-31
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| 归口单位： |
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 |
| 起草单位： |
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、全球能源互联网研究院有限公司、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司、东莞市天域半导体科技有限公司等 |
| 起草人： |
钮应喜、杨霏、温家良、吴军民、潘艳、陈志霞、刘丹、冯淦、张新河、田亮、田红林、吴昊、李玲、李永平、张文婷、李嘉琳、焦倩倩、李赟、王英民、贾仁需、刘兴昉、陆敏、彭同华、刘振洲 |
| 页数： |
16页【彩图】 |
| 出版社： |
中国质检出版社 |
| 出版日期： |
2018-02-01 |