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| 英文名称： |
Test method for surface defects on silicon carbide epitaxial wafers—Laser scattering method |
 中标分类： |
冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法 |
| ICS分类： |
冶金>>77.040金属材料试验 |
| 发布部门： |
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2023-08-06 |
| 实施日期： |
2024-03-01
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| 提出单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC 203）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC2) |
| 归口单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC 203）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC2) |
| 起草单位： |
安徽长飞先进半导体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、安徽芯乐半导体有限公司、南京国盛电子有限公司、浙江芯科半导体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、中国科学院半导体研究所 |
| 起草人： |
钮应喜、袁松、张会娟、刘敏、仇光寅、李京波、彭铁坤、袁肇耿、杨龙、闫果果 |
| 页数： |
16页【彩图】 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |