本文件按照 GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。
本文件代替 GB/T19444—2004《硅片氧沉淀特性的测定—间隙氧含量减少法》,与 GB/T19444—2004相比,除结构调整和编辑性改动外,主要技术变化如下:
a) 更改了适用范围(见第1章,2004年版的第1章);
b) 增加了术语和定义(见第3章);
c) 更改了方法原理(见第4章,2004年版的第3章);
d) 增加了干扰因素(见第5章);
e) 增加了试验条件(见第6章);
f) 更改了试剂或材料(见第7章,2004年版的第5章);
g) 增加了仪器设备(见第8章);
h) 更改了样品(见第9章,2004年版的第6章);
i) 更改了试验步骤(见第10章,2004年版的第7章);
j) 增加了试验数据处理(见第11章);
k) 更改了精密度(见第12章,2004年版的第10章);
l) 更改了试验报告(见第13章,2004年版的第9章)。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本文件起草单位:麦斯克电子材料股份有限公司、浙江中晶科技股份有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、内蒙古中环晶体材料有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、山东有研艾斯半导体材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、上海合晶硅材料股份有限公司、浙大宁波理工学院。
本文件主要起草人:方丽霞、陈卫群、姚献朋、黄笑容、寇文辉、王新社、郭红强、刘丽娟、肖世豪、朱晓彤、张海英、王江华、尚海波、章金兵。
本文件于2004年首次发布,本次为第一次修订。 |
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