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硅片径向电阻率变化的测量方法

国家标准
标准编号:GB/T 11073-1989 标准状态:已作废
标准价格:12.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
本标准规定了用直排四探针方法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。本标准适用于硅片厚度小于探针平均间距。
英文名称:  Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices
标准状态:  已作废
什么是替代情况? 替代情况:  GB/T 11073-2007替代
什么是中标分类? 中标分类:  冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法
什么是ICS分类?  ICS分类:  29.040.30
什么是UDC分类?  UDC分类:  669.782;621.317.33
什么是采标情况? 采标情况:  =ASTM F81-82
发布部门:  国家技术监督局
发布日期:  1989-03-31
实施日期:  1990-02-01
作废日期:  2008-02-01
首发日期:  1989-03-31
复审日期:  2004-10-14
什么是归口单位? 归口单位:  中国有色金属工业协会
主管部门:  中国有色金属工业协会
起草单位:  峨嵋半导体材料研究所
页数:  14页
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