工标网 回首页
标准分类  最新标准New!  标准公告 标准动态  标准论坛
 高级查询
帮助 | 登录 | 注册
查标准上工标网 免费查询标准最新替代作废信息
 您的位置:工标网 >> 国家标准(GB) >> GB/T 11073-2007

硅片径向电阻率变化的测量方法

国家标准
标准编号:GB/T 11073-2007 标准状态:现行
标准价格:31.0 客户评分:星星星星1
本标准有现货可当天发货一线城市最快隔天可到!
点击放入购物车 如何购买?问客服 放入收藏夹,免费跟踪本标准更替信息! 参与评论本标准
标准简介
本标准规定了用直排四探针法测量硅片径向电阻率变化的方法。
英文名称:  Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices
什么是替代情况? 替代情况:  替代GB/T 11073-1989
什么是中标分类? 中标分类:  冶金>>金属化学分析方法>>H17半金属及半导体材料分析方法
什么是ICS分类?  ICS分类:  冶金>>金属材料试验>>77.040.01金属材料试验综合
什么是采标情况? 采标情况:  MOD ASTM F 81-1901
发布部门:  中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期:  2007-12-18
实施日期:  2008-02-01
首发日期:  1989-03-31
提出单位:  中国有色金属工业协会
什么是归口单位? 归口单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
主管部门:  中国有色金属工业协会
起草单位:  峨嵋山半导体材料厂
起草人:  梁洪、覃锐兵、王炎
计划单号:  20031799-T-610
页数:  16页
出版社:  中国标准出版社
出版日期:  2008-02-01
  [ 评论 ][ 关闭 ]
前言
本标准是对GB/T11073-1989《硅片径向电阻率变化的测量方法》的修订。本标准修改采用了ASTM F8101《硅片径向电阻率变化的测量方法》。
本标准与ASTM F8101的一致性程度为修改采用,主要差异如下:
---删去了ASTM F8101第4章意义和用途。
本标准与GB/T11073-1989相比主要变化如下:
---因GB/T 6615 已并入GB/T 1552,本标准在修订时将硅片电阻率测试方法标准改为GB/T1552,并将第2章规范性引用文件中的GB/T6615改为GB/T1552;
---采用ASTM F8101第8章计算中的计算方法替代原GB11073-1989中径向电阻率变化的计算方法;
---依据GB/T1552将电阻率的测量上限由1×103 Ω·cm 改为3×103 Ω·cm;
---将原GB/T11073-1989中第7章测量误差改为第4章干扰因素,并对其后各章章号作了相应调整;
---删去了原GB/T11073-1989中的表1,采用GB/T12965规定的直径偏差范围;
---将原GB/T11073-1989中的表2改为表1,并依据GB/T12965中的规定,在本标准中删去80.0mm 标称直径规格,增加了150.0mm 和200.0mm 标称直径规格。
本标准的附录A 是规范性附录。
本标准自实施之日起,同时代替GB/T11073-1989。
本标准由中国有色金属工业协会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:峨嵋半导体材料厂。
本标准主要起草人:梁洪、覃锐兵、王炎。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T11073-1989。
引用标准
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T1552 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法
GB/T2828(所有部分) 计数抽样检验程序
GB/T6618-1995 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T12965 硅单晶切割片和研磨片
本标准相关公告
·中华人民共和国国家标准批准发布公告2007年第11号(总第111号) [2007-12-18]

半金属及半导体材料分析方法相关标准 第1页 第2页 第3页 
 GB/T 14849.1-2020 工业硅化学分析方法 第1部分:铁含量的测定
 GB/T 14849.2-1993 工业硅化学分析方法 铬天青-S分光光度法测定铝量
 GB/T 14849.3-1993 工业硅化学分析方法 钙量的测定
 GB/T 14849.3-2020 工业硅化学分析方法 第3部分:钙含量的测定
 GB/T 14849.4-2008 工业硅化学分析方法 第4部分:电感耦合等离子体原子发射光谱法测定素含量
 GB/T 1557-2018 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
 GB/T 1558-2023 硅中代位碳含量的红外吸收测试方法
 GB/T 17170-2015 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法
 GB/T 19199-2015 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
 GB/T 19921-2005 硅抛光片表面颗粒测试方法
 免费下载半金属及半导体材料分析方法标准相关目录

金属材料试验综合相关标准 第1页 第2页 
 GB/T 13925-2010E 铸造高锰钢金相(英文版)
 GB/T 14140.1-1993 硅片直径测量方法 光学投影法
 GB/T 14140.2-1993 硅片直径测量方法 千分尺法
 GB/T 1550-1997 非本征半导体材料导电类型测试方法
 GB/T 1553-1997 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
 GB/T 15615-1995 硅片抗弯强度测试方法
 GB/T 16481-1996 稀土元素微波等离子体炬发射光谱(MPT-AES)标准谱表
 GB/T 17473.1-1998 厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法 固体含量测定
 GB/T 17473.2-1998 厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法 细度测定
 GB/T 17473.3-1998 厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法 方阻测定
 免费下载金属材料试验综合标准相关目录

用户:61.157.129.*  于 2009-08-26 22:55:19  使用 :61.157.129.* 查看此贴
关于《GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法》标准的讨论
 标准就应该可以免费下载才对嘛?为什么不让下载?
 发表留言
内 容
  用户:   口令:  
 
 
客服中心
有问题?找在线客服 点击和客服交流,我们的在线时间是:工作日8:30至18:00,节假日;9:00至17:00。工标网欢迎您和我们联系!
未开通400地区或小灵通请直接拨打0898-3137 2222 400-7255-888
客服QQ 1197428036 992023608
MSN或电子邮件 18976748618 13876321121
温馨提示:标准更新替换较快,请注意您购买的标准时效性。
常见问题 帮助中心
我为什么找不到我想要的标准?
配送范围、配送时间和收费标准
如何付款,支持哪些付款方式?
您可能还需要 更多
硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法..
硅单晶电阻率测定方法
硅片弯曲度测试方法
硅片厚度和总厚度变化测试方法
硅片翘曲度非接触式测试方法
硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法..
半导体单晶晶向测定方法
电流小于100A普通整流管
必备软件下载
Adobe Acrobat Reader 是一个查看、 阅读和打印PDF文件的最佳工具,通 过它可以查阅本站的标准文档
pdf下载
搜索更多
google 中搜索:GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法
baidu 中搜索:GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法
yahoo 中搜索:GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法
soso 中搜索:GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法
中搜索:GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法
 
付款方式 - 关于我们 - 帮助中心 - 联系我们 - 诚聘英才 - 合作伙伴 - 使用条款
QQ:1197428036 992023608 有问题? 联系在线客服
Copyright © 工标网 2005-2023,All Right Reserved