半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法 |
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| 标准编号：GB/T 17170-2015 |
标准状态：现行 |
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| 标准价格：24.0 元 |
客户评分：  |
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本标准规定了半绝缘砷化镓单晶深施主 EL2浓度的红外吸收测试方法。
本标准适用于电阻率大于106 Ω·cm 的非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶深施主 EL2浓度的测定。
本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓单晶深施主 EL2浓度的测定。 |
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| 英文名称： |
Test method for the EL2 deep donor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy |
 替代情况： |
替代GB/T 17170-1997 |
| 中标分类： |
冶金>>金属化学分析方法>>H17半金属及半导体材料分析方法 |
| ICS分类： |
冶金>>77.040金属材料试验 |
| 发布部门： |
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2015-12-10 |
| 实施日期： |
2016-07-01
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| 提出单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料(SAC/TC203/SC2) |
| 归口单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料(SAC/TC203/SC2) |
| 起草单位： |
信息产业专用材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司、中国电子材料行业协会 |
| 起草人： |
何秀坤、李静、张雪囡 |
| 页数： |
8页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
| 出版日期： |
2016-07-01 |
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本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准代替 GB/T17170—1997《非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级 EL2浓度红外吸收测试方法》。
本标准与 GB/T17170—1997相比,主要有以下变化:
———修改了标准名称;
———增加了“规范性引用文件”“术语和定义”“干扰因素”和“测试环境”等章;
———扩展了半绝缘砷化镓单晶电阻率范围,将电阻率大于107 Ω·cm 修改为大于106 Ω·cm;
———将范围由“非掺杂半绝缘砷化镓单晶”修改为“非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶”;
———删除了0.4mm~2mm 厚度测试样品的解理制样方法。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:信息产业专用材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司、中国电子材料行业协会。
本标准主要起草人:何秀坤、李静、张雪囡。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
———GB/T17170—1997。 |
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GB/T14264 半导体材料术语 |
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