工标网 回首页
标准分类  最新标准New!  标准公告 标准动态  标准论坛
 高级查询
帮助 | 登录 | 注册
查标准上工标网 免费查询标准最新替代作废信息
 您的位置:工标网 >> 国家标准(GB) >> GB/T 1554-2009

硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

国家标准
标准编号:GB/T 1554-2009 标准状态:现行
标准价格:24.0 客户评分:星星星星1
本标准有现货可当天发货一线城市最快隔天可到!
点击放入购物车 如何购买?问客服 放入收藏夹,免费跟踪本标准更替信息! 参与评论本标准
标准简介
本标准规定了用择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。
本标准适用于晶向为<111>、<100>或<110>、电阻率为10-3 Ω·cm~104 Ω·cm、位错密度在0cm-2~105cm-2之间的硅单晶锭或硅片中原生缺陷的检验。
英文名称:  Testing method for crystallographic perfection of silicon by preferential etch techniques
什么是替代情况? 替代情况:  替代GB/T 1554-1995
什么是中标分类? 中标分类:  冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
什么是ICS分类?  ICS分类:  电气工程>>29.045半导体材料
发布部门:  中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期:  2009-10-30
实施日期:  2010-06-01
首发日期:  1979-05-26
提出单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会
什么是归口单位? 归口单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
主管部门:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
起草单位:  峨嵋半导体材料厂
起草人:  何兰英、王炎、张辉坚、刘阳
计划单号:  20063376-T-469
页数:  24页
出版社:  中国标准出版社
出版日期:  2010-06-01
  [ 评论 ][ 关闭 ]
前言
本标准代替GB/T1554-1995《硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法》。
本标准与GB/T1554-1995相比,主要有如下变化:
---增加了本方法也适用于硅单晶片;
---增加了术语和定义、干扰因素章;
---第4章最后一句将用肉眼和金相显微镜进行观察修改为用目视法结合金相显微镜进行观察;
---将原标准中表1四种常用化学抛光液配方删除,对化学抛光液配比进行了修改,删除了乙酸配方;并将各种试剂和材料的含量修改为等级;增加了重量比分别为50%CrO3 和10%CrO3标准溶液的配比;增加了晶体缺陷显示常用的腐蚀剂对比表;依据SEMIMF18090704 增加了几种国际上常用的无铬、含铬腐蚀溶液的配方、应用及适用性的分类对比表;
---第9章将原GB/T1554-1995中(111)面缺陷显示中电阻率不小于0.2Ω·cm 的试样腐蚀时间改为了10min~15min;(100)面缺陷显示中电阻率不小于0.2Ω·cm 的试样和电阻率小于0.2Ω·cm 的试样腐蚀时间全部改为10min~15min;增加了(110)面缺陷显示;增加了对重掺试样的缺陷显示;在缺陷观测的测点选取中增加了米字型测量方法。
本标准的附录A 为资料性附录。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:峨嵋半导体材料厂。
本标准主要起草人:何兰英、王炎、张辉坚、刘阳。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB1554-1979、GB/T1554-1995。
---GB4057-1983。
引用标准
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T14264 半导体材料术语
YS/T209 硅材料原生缺陷图谱
本标准相关公告
·中华人民共和国国家标准批准发布公告2009年第12号(总第152号) [2009-11-17]

und:url(/images/dian.gif)">
半金属与半导体材料综合相关标准 第1页 
 GB/T 1558-2009  硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法
 GB/T 16595-2019 晶片通用网格规范
 GB/T 16596-2019 确定晶片坐标系规范
 GB/T 24574-2009  硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
 GB/T 24575-2009  硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
 GB/T 24576-2009  高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
 GB/T 24577-2009  热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物
 GB/T 24578-2009 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
 GB/T 24579-2009  酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物
 GB/T 24580-2009  重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
 免费下载半金属与半导体材料综合标准相关目录

半导体材料相关标准 第1页 第2页 
 GB/T 1555-2009  半导体单晶晶向测定方法
 GB/T 1558-1997 硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法
 GB/T 16595-1996 晶片通用网格规范
 GB/T 16596-1996 确定晶片坐标系规范
 GB/T 17169-1997 硅抛光片和外延片表面质量光反射测试方法
 GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
 GB/T 19199-2003 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
 GB/T 20228-2006 砷化镓单晶
 GB/T 20229-2006 磷化镓单晶
 GB/T 20230-2006 磷化铟单晶
 免费下载半导体材料标准相关目录

 发表留言
内 容
  用户:   口令:  
 
 
客服中心
有问题?找在线客服 点击和客服交流,我们的在线时间是:工作日8:30至18:00,节假日;9:00至17:00。工标网欢迎您和我们联系!
未开通400地区或小灵通请直接拨打0898-3137 2222 400-7255-888 (市话)
客服QQ 1006926259 569872709
MSN或电子邮件 Csres@vip.126.com
温馨提示:标准更新替换较快,请注意您购买的标准时效性。
常见问题 帮助中心
我为什么找不到我想要的标准?
配送范围、配送时间和收费标准
如何付款,支持哪些付款方式?
您可能还需要 更多
半导体单晶晶向测定方法
硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法..
硅抛光片表面质量目测检验方法
硅单晶电阻率测定方法
硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰..
硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法..
低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中..
酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶..
必备软件下载
Adobe Acrobat Reader 是一个查看、 阅读和打印PDF文件的最佳工具,通 过它可以查阅本站的标准文档
pdf下载
搜索更多
google 中搜索:GB/T 1554-2009  硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
baidu 中搜索:GB/T 1554-2009  硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
yahoo 中搜索:GB/T 1554-2009  硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
soso 中搜索:GB/T 1554-2009  硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
中搜索:GB/T 1554-2009  硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
 
付款方式 - 关于我们 - 帮助中心 - 联系我们 - 诚聘英才 - 合作伙伴 - 使用条款
QQ:1006926259 569872709 MSN/EMail: Csres@vip.126.com
Copyright © 工标网 2005-2009,All Right Reserved  国家标准发行授权书