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低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法

国家标准
标准编号:GB/T 24581-2009 标准状态:现行
标准价格:16.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
本标准适用于检测硅单晶中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。
本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为(0.01×10-9~5.0×10-9)a。
英文名称:  Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities
什么是中标分类? 中标分类:  冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
什么是ICS分类?  ICS分类:  电气工程>>29.045半导体材料
什么是采标情况? 采标情况:  IDT SEMI MF 1630-0704
发布部门:  中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期:  2009-10-30
实施日期:  2010-06-01
首发日期:  2009-10-30
提出单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会
什么是归口单位? 归口单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
主管部门:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
起草单位:  四川新光硅业科技有限责任公司
起草人:  梁洪、过惠芬、吴道荣
计划单号:  20073568-T-469
页数:  12页
出版社:  中国标准出版社
出版日期:  2010-06-01
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前言
本标准等同采用SEMIMF16300704《低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法》。
本标准与SEMIMF16300704相比,主要有如下变化:
---用实际测量到的红外谱图代替SEMIMF16300704标准中的图2、图3。
---用实验得到的单一实验室测试精密度代替SEMIMF16300704中给出的单一实验室测试精密度。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:四川新光硅业科技有限责任公司。
本标准主要起草人:梁洪、过惠芬、吴道荣。
本标准相关公告
·中华人民共和国国家标准批准发布公告2009年第12号(总第152号) [2009-11-17]

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