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用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程

国家标准
标准编号:GB/T 29057-2012 标准状态:现行
标准价格:21.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
本标准采用区熔拉晶法和光谱分析法来测量多晶硅棒中的施主、受主杂质浓度。测得的施主、受主杂质浓度可以用来计算按一定的目标电阻率生长单晶硅棒所需要的掺杂量,也可以用来推算非掺杂硅棒的电阻率。
英文名称:  Practice for evaluation of polocrystalline silicon rods by float-zone crystal growth and spectroscopy
什么是中标分类? 中标分类:  冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
什么是ICS分类?  ICS分类:  电气工程>>29.045半导体材料
什么是采标情况? 采标情况:  SEMI MF1723-1104 MOD
发布部门:  中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期:  2012-12-31
实施日期:  2013-10-01
提出单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
什么是归口单位? 归口单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
主管部门:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
起草单位:  四川新光硅业科技有限责任公司、乐山乐电天威硅业科技有限责任公司、天威四川硅业有限责任公司
起草人:  梁洪、刘畅、陈自强、张新、蓝志、张华端、瞿芬芬
页数:  20页
出版社:  中国标准出版社
出版日期:  2013-10-01
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前言
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准修改采用国际标准SEMIMF1723-1104《用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程》。为方便比较,资料性附录A 中列出了本标准章条和对应的国际标准章条的对照一览表。
本标准在采用SEMIMF1723-1104时进行了修改。这些技术差异用垂直单线标识在它们所涉及的条款的页边空白处。主要技术差异如下:
———在“规范性引用文件”中,凡我国已有国家标准的,均用相应的国家标准代替SEMIMF1723-1104中的“引用文件”。
———增加规范性引用文件GB/T1553《硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法》。
———将6.2中“…ISO14644-1中规定的ISO5级…”改为“…GB50073中规定的5级…”。
———将7.2.1中“…ISO14644-1中规定的ISO6级…”改为“…GB50073中规定的6级…”。
———将7.3.1中“…ISO14644-1中规定的ISO6级…”改为“…GB50073中规定的6级…”。
———将7.3.1中“…1×10-6torr…”改为“…1.3×10-4Pa…”。
———将8.1中“硝酸(HNO3)———符合SEMIC352级”改为“硝酸(HNO3)———符合GB/T626优级纯”。
———将8.2中“氢氟酸(HF)———符合SEMIC282级”改为“氢氟酸(HF)———符合GB/T620优级纯”。
———将8.4中“去离子水———纯度等于或优于ASTM D5127中的E-2级”改为“去离子水———纯度等于或优于GB/T11446.1中的EW-2级”。
———将8.5中“高纯氩气———符合SEMIC3.42”改为“高纯氩气———符合GB/T4842优等品”。
———增加12.5.2.4“按照GB/T1553检测晶棒体内少数载流子寿命。”
———将12.6.1中“…根据SEMIMF1391分析碳含量…”改为“…根据GB/T1558分析碳含量…”。
———将12.6.3.3中“…按测试方法SEMIMF1391…”改为“…按测试方法GB/T1558…”。
———将13.3.5.1中“…见SEMIMF723…”改为“…见GB/T13389…”。
———将14.1中“…在SEMIMF1391中…”改为“…在GB/T1558中…”。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。
本标准起草单位:四川新光硅业科技有限责任公司、乐山乐电天威硅业科技有限责任公司、天威四川硅业有限责任公司。
本标准主要起草人:梁洪、刘畅、陈自强、张新、蓝志、张华端、瞿芬芬。
本标准相关公告
·中华人民共和国国家标准批准发布公告2012年第41号 [2013-01-16]

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