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| 英文名称： |
Test method for measuring compensation degree of silicon materials used for photovoltaic applications |
 中标分类： |
冶金>>半金属与半导体材料>>H82元素半导体材料 |
| ICS分类： |
电气工程>>29.045半导体材料 |
| 发布部门： |
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2013-11-12 |
| 实施日期： |
2014-04-15
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| 提出单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203) |
| 归口单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203) |
| 主管部门： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203) |
| 起草单位： |
信息产业专用材料质量监督检验中心、中国电子技术标准化研究院、无锡尚德太阳能电力有限公司、国家电子功能与辅助材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
| 起草人： |
董颜辉、何秀坤、郑彩萍、裴会川、冯亚彬、路景刚、张雪囡 |
| 页数： |
8页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
| 书号： |
155066·1-48023 |
| 出版日期： |
2014-04-15 |