|
英文名称: |
Test method for measuring metallic impurities content in silicon materials used for photovoltaic applications by inductively coupled plasma mass spectrometry |
中标分类: |
冶金>>半金属与半导体材料>>H82元素半导体材料 |
ICS分类: |
电气工程>>29.045半导体材料 |
发布部门: |
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
发布日期: |
2015-07-03 |
实施日期: |
2016-03-01
即将实施 距离实施日期还有2615天 |
提出单位: |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2) |
归口单位: |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2) |
起草单位: |
信息产业专用材料质量监督检验中心、中国电子技术标准化研究院、江苏中能硅业科技发展有限公司、洛阳中硅高科技有限公司、国家电子功能与辅助材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
起草人: |
褚连青、王奕、徐静、王鑫、何秀坤、裴会川、冯亚彬、鲁文峰、余慧茹、张雪囡 |
页数: |
12页 |
出版社: |
中国标准出版社 |
出版日期: |
2016-03-01 |