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| 英文名称： |
Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit |
 中标分类： |
冶金>>半金属与半导体材料>>H82元素半导体材料 |
| ICS分类： |
电气工程>>29.045半导体材料 |
| 发布部门： |
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2022-03-09 |
| 实施日期： |
2022-10-01
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| 提出单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 归口单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 起草单位： |
有研半导体硅材料股份公司、山东有研半导体材料有限公司、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、南京国盛电子有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、中环领先半导体材料有限公司、浙江海纳半导体有限公司 |
| 起草人： |
孙燕、宁永铎、钟耕杭、李洋、徐新华、骆红、杨素心、李素青、张海英、由佰玲、潘金平 |
| 页数： |
12页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |