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碳化硅单晶材料电学参数测试方法

标准
标准编号:SJ 20858-2002 标准状态:现行
标准价格:12.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
本标准规定了碳化硅单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测试方法。本标准适用于温度在20℃~700℃范围内的4H-SiC、6H-SiC等低阻碳化硅体单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测量。
英文名称:  Measuring methods for electrical parameters of silicon carbide single crystal material
什么是中标分类? 中标分类:  冶金>>半金属与半导体材料>>H82元素半导体材料
发布日期:  2002-12-12
实施日期:  2003-05-01
起草单位:  中国电子科技集团公司第四十六所
页数:  9页
出版社:  工业电子出版社
出版日期:  2004-04-19
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