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 您的位置:工标网 >> 有色金属行业标准(YS) >> YS/T 1061-2015

改良西门子法多晶硅用硅芯

国家标准
标准编号:YS/T 1061-2015 标准状态:现行
标准价格:14.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
本标准规定了改良西门子法生产多晶硅用硅芯的要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单(或合同)内容等。
英文名称:  Silicon core for polysilicon by improved siemens method
什么是中标分类? 中标分类:  冶金>>半金属与半导体材料>>H82元素半导体材料
什么是ICS分类?  ICS分类:  电气工程>>29.045半导体材料
发布部门:  中华人民共和国工业和信息化部
发布日期:  2015-04-30
实施日期:  2015-10-01
提出单位:  全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC 243)
什么是归口单位? 归口单位:  全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC 243)
主管部门:  全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC 243)
起草单位:  江苏中能硅业科技发展有限公司、河南协鑫光伏科技有限公司、无锡中硅新材料股份有限公司、昆明冶研新材料股份有限公司
起草人:  李军正、胡伟、张晓东、耿全荣、刘丹、陈晶、亢若谷、赵建为
页数:  8页
出版社:  中国标准出版社
书号:  155066·2-29172
出版日期:  2015-10-01
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前言
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)提出并归口。
本标准起草单位:江苏中能硅业科技发展有限公司、河南协鑫光伏科技有限公司、无锡中硅新材料股份有限公司、昆明冶研新材料股份有限公司。
本标准主要起草人:李军正、胡伟、张晓东、耿全荣、刘丹、陈晶、亢若谷、赵建为。
引用标准
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T1551 硅单晶电阻率测定方法
GB/T1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T11336 直线度误差检测
GB/T14264 半导体材料术语
GB/T24582 酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定 多晶硅表面金属杂质
GB/T29849 光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法
本标准相关公告
·中华人民共和国工业和信息化部公告 2015年(第28号) [2015-05-15]

元素半导体材料相关标准 第1页 
 GB/T 32573-2016 硅粉 总碳含量的测定 感应炉内燃烧后红外吸收法
 GB/T 35307-2017 流化床法颗粒硅
 GB/T 35310-2017 200mm硅外延片
 GB/T 5238-2019 锗单晶和锗单晶片
 GB/T 6620-2009  硅片翘曲度非接触式测试方法
 SJ 20858-2002 碳化硅单晶材料电学参数测试方法
 YS/T 14-1991 异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法
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 YS/T 557-2006 压电铌酸锂单晶体声波衰减测试方法
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半导体材料相关标准 第1页 第2页 
 YS/T 209-1994 硅材料原生缺陷图谱
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