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| 英文名称： |
Silicon carbide epitaxial wafers |
 中标分类： |
冶金>>半金属与半导体材料>>H83化合物半导体材料 |
| ICS分类： |
电气工程>>29.045半导体材料 |
| 发布部门： |
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2024-04-25 |
| 实施日期： |
2024-11-01
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| 提出单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 归口单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 起草单位： |
南京国盛电子有限公司、广东天域半导体股份有限公司、上海天岳半导体材料有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)股份有限公司、ＴＣＬ环鑫半导体(天津)有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、南京盛鑫半导体材料有限公司等 |
| 起草人： |
李国鹏、仇光寅、刘勇、骆红、李素青、丁雄杰、舒天宇、佘宗静、冯淦、杨玉聪、王银海、侯晓蕊、薛宏伟、刘红超、金向军、尚海波、刘薇、王岩、徐所成、李毕庆、陈浩、袁肇耿、周勋、刘长春、汪之涵、黄勤金、赵丽丽、胡动力、和巍巍 |
| 页数： |
16页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |