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硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法

国家标准
标准编号:GB/T 4061-2009 标准状态:现行
标准价格:14.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
本标准规定了以三氯氢硅和四氯化硅为原料在还原炉内用氢气还原出的硅多晶棒的断面夹层化学腐蚀检验方法。
本标准关于断面夹层的检验适用于以三氯氢硅和四氯化硅为原料,以细硅芯为发热体,在还原炉内用氢气还原沉积生长出来的硅多晶棒。
英文名称:  Polycrystalline silicon-examination method-assessment of sandwiches on cross-section by chemical corrosion
什么是替代情况? 替代情况:  替代GB/T 4061-1983
什么是中标分类? 中标分类:  冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
什么是ICS分类?  ICS分类:  电气工程>>29.045半导体材料
发布部门:  中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期:  2009-10-30
实施日期:  2010-06-01
首发日期:  1983-12-20
提出单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会
什么是归口单位? 归口单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
主管部门:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
起草单位:  洛阳中硅高科技有限公司
起草人:  袁金满
计划单号:  20064809-T-469
页数:  8页
出版社:  中国标准出版社
出版日期:  2010-06-01
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前言
本标准代替GB4061-1983《硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法》。
本标准与原标准相比,主要有如下改动:
---增加了术语、试剂与器材;
---增加了检验报告内容;
---对试样尺寸的切取方向和试样处理内容增加了要求。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:洛阳中硅高科技有限公司。
本标准主要起草人:袁金满。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB4061-1983。

半金属与半导体材料综合相关标准 第1页 
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半导体材料相关标准 第1页 第2页 
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