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英文名称: |
Silicon carbide epitaxial layers—Determination of carrier concentration—Mercury probe capacitance-voltages method |
中标分类: |
冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合 |
ICS分类: |
电气工程>>29.045半导体材料 |
发布部门: |
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 |
发布日期: |
2017-12-20 |
实施日期: |
2017-12-31
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归口单位: |
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 |
起草单位: |
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、全球能源互联网研究院、东莞天域半导体科技有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
起草人: |
冯淦、陈志霞、钮应喜、张新河、李赟、陆敏、彭同华、刘振洲 |
页数: |
12页【彩图】 |
出版社: |
中国质检出版社 |
出版日期: |
2018-02-01 |