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硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法

国家标准
标准编号:GB/T 26068-2010 标准状态:已作废
标准价格:27.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
本方法适用于测量均匀掺杂、经过抛光处理的n型或p型硅片的载流子复合寿命。本方法是非破坏性、无接触测量。在电导率检测系统的灵敏度足够的条件下,本方法也可应用于测试切割或者经过研磨、腐蚀硅片的载流子复合寿命。
英文名称:  Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance
标准状态:  已作废
什么是替代情况? 替代情况:  被GB/T 26068-2018代替
什么是中标分类? 中标分类:  冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
什么是ICS分类?  ICS分类:  电气工程>>29.045半导体材料
发布部门:  中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期:  2011-01-10
实施日期:  2011-10-01
作废日期:  2019-11-01
首发日期:  2011-01-10
什么是归口单位? 归口单位:  全国半导体设备和材料标准化委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
主管部门:  全国半导体设备和材料标准化委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
起草单位:  有研半导体材料股份有限公司、瑟米莱伯贸易(上海)有限公司、中国计量科学研究院、万向硅峰电子有限公司、广州昆德科技有限公司、洛阳单晶硅有限责任公司
起草人:  曹孜、孙燕、黄黎、高英、石宇、楼春兰、王世进、张静雯
页数:  28页
出版社:  中国标准出版社
出版日期:  2011-10-01
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前言
本标准由全国半导体设备和材料标准化委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。
本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司、瑟米莱伯贸易(上海)有限公司、中国计量科学研究院、万向硅峰电子有限公司、广州昆德科技有限公司、洛阳单晶硅有限责任公司。
本标准主要起草人:曹孜、孙燕、黄黎、高英、石宇、楼春兰、王世进、张静雯。
目录
前言 Ⅲ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
4 检测方法概述 2
5 干扰因素 3
6 设备 4
7 试剂 5
8 取样及样片制备 5
9 测试步骤 7
10 报告 8
11 精密度和偏差 8
附录A (规范性附录) 注入水平的修正 9
附录B(资料性附录) 注入水平的相关探讨 10
附录C (资料性附录) 载流子复合寿命与温度的关系 13
附录D (资料性附录) 少数载流子复合寿命 16
附录E (资料性附录) 测试方法目的和精密度 19
参考文献 20
引用标准
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本标准相关公告
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·中华人民共和国国家标准批准发布公告2011年第01号  [2011-01-28]

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