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锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法

国家标准
标准编号:GB 11297.6-1989 标准状态:现行
标准价格:8.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
在晶体中,由于缺陷处的势能较高,在缺陷处的腐蚀速率较大,在适当的腐蚀剂中,当缺陷处的腐蚀速率远高于完整晶面的腐蚀速率时,在缺陷处就会形成位错蚀坑和其他斑痕,在金相显微镜下可以观测多种缺陷。
英文名称:  Standard method for showing and measuring dislocation etch pits in Indium Antimonide single crystal
什么是中标分类? 中标分类:  电子元器件与信息技术>>电子设备专用材料、零件、结构件>>L90电子技术专用材料
什么是ICS分类?  ICS分类:  29.040.30
什么是UDC分类?  UDC分类:  621.868.274;621.193.4
发布部门:  中华人民共和国机械电子工业部
发布日期:  1988-10-09
实施日期:  1990-01-01
首发日期:  1989-03-31
复审日期:  2004-10-14
什么是归口单位? 归口单位:  全国半导体材料和设备标准化技术委员会
主管部门:  国家标准化管理委员会
起草单位:  机械电子工业部第十一研究所
起草人:  李文华
页数:  3页
出版社:  中国标准出版社
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