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国家标准
 GB/T 46764-2025 风能发电系统 可利用率 (即将实施)
中标分类:  能源、核技术>>能源>>F11风能
ICS 分类:  能源和热传导工程>>27.180风力发电系统和其
发布日期:2025-12-02    实施日期:2025-12-02
简介: 本文件规定了一种可计算并统计发电服务时间可利用率和发电量可利用率指标的信息模型。 本文件提供了标准的度量方法,能够根据用户需求创建并组织可利用率的计算和评估过程。 本文件提供了不同的信息类别,明确描述了如何使用数据对运行状态进行表征和分类。信息模 ...
标准定价: ¥ 157.0 元      
国家标准
 GB/T 2406.4-2025 塑料 用氧指数法测定燃烧行为 第4部分:高气体流速试验 (即将实施)
中标分类:  化工>>合成材料>>G31合成树脂、塑料基础标准与通用方法
ICS 分类:  橡胶和塑料工业>>塑料>>83.080.01塑料综合
发布日期:2025-12-02    实施日期:2025-12-02
简介: 本文件描述了在规定的环境温度及氧/氮混合气气体流速条件下,维持小垂直片材燃烧的最小氧气体积分数的方法,该气体流速高于ISO 4589-2规定的流速。 注:结果用高气体流速氧指数(HOI)表示。 本文件规定了测定 HOI 的设备。 本文件适用于厚 ...
标准定价: ¥ 56.0 元      
国家标准
 GB/T 4937.24-2025 半导体器件 机械和气候试验方法 第24部分:加速耐湿 无偏置强加速应力试验 (即将实施)
中标分类:  电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L40半导体分立器件综合
ICS 分类:  电子学>>半导体器件>>31.080.01半导体器件综合
发布日期:2025-12-02    实施日期:2025-12-02
简介: 本文件用于评价非气密封装固态器件在潮湿环境下的可靠性。 本方法为强加速试验,是在没有冷凝的条件下通过温度和湿度加速潮气穿透外部保护材料(包封或密封)或外部保护材料和金属导体的交接面。本方法不施加偏置,以确保潜在的失效机理不能由偏置造成(例如电化学腐 ...
标准定价: ¥ 36.0 元      
国家标准
 GB/T 4937.25-2025 半导体器件 机械和气候试验方法 第25部分:温度循环 (即将实施)
中标分类:  电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L40半导体分立器件综合
ICS 分类:  电子学>>半导体器件>>31.080.01半导体器件综合
发布日期:2025-12-02    实施日期:2025-12-02
简介: 本文件描述了确定半导体器件、元件及电路板组件承受由极限高温和极限低温交变作用引发机械应力的能力。该机械应力能导致其电性能或物理性能发生永久性变化。 本文件总体符合IEC 60068-2-14,但由于半导体器件的特殊要求,使用本文件的条款。 本试验 ...
标准定价: ¥ 36.0 元      
国家标准
 GB/T 4937.29-2025 半导体器件 机械和气候试验方法 第29部分:闩锁试验 (即将实施)
中标分类:  电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L40半导体分立器件综合
ICS 分类:  电子学>>半导体器件>>31.080.01半导体器件综合
发布日期:2025-12-02    实施日期:2025-12-02
简介: 本文件描述了集成电路的电流和过电压闩锁试验方法。 本试验是破坏性试验。 本试验的目的是建立一种判断集成电路闩锁特性的方法和规定闩锁的失效判据。闩锁特性用来判断产品的可靠性,并减少由于闩锁引起的无法定位故障(NTF)和过电应力(EOS)失效。 本 ...
标准定价: ¥ 56.0 元      
国家标准
 GB/T 4937.33-2025 半导体器件 机械和气候试验方法 第33部分:加速耐湿 无偏置高压蒸煮 (即将实施)
中标分类:  电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L40半导体分立器件综合
ICS 分类:  电子学>>半导体器件>>31.080.01半导体器件综合
发布日期:2025-12-02    实施日期:2025-12-02
简介: 无偏置高压蒸煮试验是利用潮气冷凝或饱和蒸汽来评价非气密封装固态器件的耐湿性。本试验为强加速试验,在冷凝条件下通过压力、湿度和温度加速潮气穿透外部保护材料(包封或密封)或外部保护材料和金属导体的交接面。 本文件适用于确认封装内部失效机理,为破坏性试验 ...
标准定价: ¥ 33.0 元      
国家标准
 GB/T 4937.36-2025 半导体器件 机械和气候试验方法 第36部分:稳态加速度 (即将实施)
中标分类:  电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L40半导体分立器件综合
ICS 分类:  电子学>>半导体器件>>31.080.01半导体器件综合
发布日期:2025-12-02    实施日期:2025-12-02
简介: 本文件描述了空腔半导体器件稳态加速度的试验方法。本试验的目的是检测那些不是一定要通过冲击和振动来检测的结构和机械类型的缺陷。它作为高应力(破坏性)试验来测定封装、内部金属化和引线系统、芯片或基板的焊接以及微电子器件其他构成部分的机械强度极限值。如果确 ...
标准定价: ¥ 33.0 元      
国家标准
 GB/T 4937.38-2025 半导体器件 机械和气候试验方法 第38部分:带存储的半导体器件的软错误试验方法 (即将实施)
中标分类:  电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L40半导体分立器件综合
ICS 分类:  电子学>>半导体器件>>31.080.01半导体器件综合
发布日期:2025-12-02    实施日期:2025-12-02
简介: 本文件描述了带存储的半导体器件工作在高能粒子环境下(如阿尔法辐射)的软错误敏感性的试验方法。本文件包含了两种试验方法,分别为利用阿尔法粒子辐射源的加速试验和自然辐射环境下(如阿尔法粒子或中子)导致错误的(非加速)实时系统试验。 为了全面表征带存储半 ...
标准定价: ¥ 36.0 元      
国家标准
 GB/T 4937.44-2025 半导体器件 机械和气候试验方法 第44部分:半导体器件的中子辐照单粒子效应(SEE)试验方法 (即将实施)
中标分类:  电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L40半导体分立器件综合
ICS 分类:  电子学>>半导体器件>>31.080.01半导体器件综合
发布日期:2025-12-02    实施日期:2025-12-02
简介: 本文件描述了一种测量高密度集成电路单粒子效应(SEE)的试验方法,包括带存储的半导体器件在受到宇宙射线产生的大气中子辐照时的数据保持能力。通过已知注量率的中子辐照测量得到半导体器件的单粒子效应敏感性。该试验方法适用于任何种类集成电路。 注1: 高压 ...
标准定价: ¥ 43.0 元      
国家标准
 GB/T 14896.10-2025 特种加工机床 术语 第10部分:电铸机床 (即将实施)
中标分类:  机械>>金属切削机床>>J59特种加工机床
ICS 分类:  机械制造>>机床>>25.080.99其他机床
发布日期:2025-12-02    实施日期:2025-12-02
简介: 本文件界定了电铸机床的加工方法、名称、参数与工艺和主要零部件的术语。 本文件适用于各类电铸机床(包括设备)。
标准定价: ¥ 44.0 元      
国家标准
 GB/T 15445.3-2025 粒度分析结果的表述 第3部分:试验曲线的参考模型拟合 (即将实施)
中标分类:  综合>>基础标准>>A28筛分、筛板与筛网
ICS 分类:  试验>>19.120粒度分析、筛分
发布日期:2025-12-02    实施日期:2025-12-02
简介: 本文件规定了在统计学框架下将试验曲线拟合为参考模型的方法,并明确了拟合后残差偏差的评估准则。该参考模型亦能作为维持产品质量的目标粒度分布依据。 本文件适用于以下参考模型的拟合过程: a) 正态分布(拉普拉斯-高斯分布):适用于沉淀法、冷凝法制得的 ...
标准定价: ¥ 62.0 元      
国家标准
 GB/T 19466.7-2025 塑料 差示扫描量热(DSC)法 第7部分:结晶动力学的测定 (即将实施)
中标分类:  化工>>合成材料>>G31合成树脂、塑料基础标准与通用方法
ICS 分类:  橡胶和塑料工业>>塑料>>83.080.01塑料综合
发布日期:2025-12-02    实施日期:2025-12-02
简介: 本文件描述了采用差示扫描量热(DSC)法测定聚合物结晶动力学的两种方法(等温法和非等温法)。 本文件适用于结晶和半结晶聚合物结晶动力学的测定。 注:测试过程中聚合物的分子结构若发生改变,则本方法不适用。
标准定价: ¥ 44.0 元      
国家标准
 GB/T 19466.8-2025 塑料 差示扫描量热(DSC)法 第8部分:导热系数的测定 (即将实施)
中标分类:  化工>>合成材料>>G31合成树脂、塑料基础标准与通用方法
ICS 分类:  橡胶和塑料工业>>塑料>>83.080.01塑料综合
发布日期:2025-12-02    实施日期:2025-12-02
简介: 本文件描述了采用差示扫描量热(DSC)法测定未填充塑料、填充塑料、纤维增强塑料和复合材料的导热系数的方法。 本文件适用于导热系数不高于1 W·m-1·K-1的材料。
标准定价: ¥ 36.0 元      
国家标准
 GB/T 20521.2-2025 半导体器件 第14-2部分:半导体传感器 霍尔元件 (即将实施)
中标分类:  电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L40半导体分立器件综合
ICS 分类:  电子学>>半导体器件>>31.080.99其他半导体器件
发布日期:2025-12-02    实施日期:2025-12-02
简介: 本文件规定了利用霍尔效应工作的封装的半导体霍尔元件的要求。 本文件适用于利用霍尔效应工作的封装的半导体霍尔元件。
标准定价: ¥ 44.0 元      
国家标准
 GB/T 20521.5-2025 半导体器件 第14-5部分:半导体传感器 PN结半导体温度传感器 (即将实施)
中标分类:  电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L40半导体分立器件综合
ICS 分类:  电子学>>半导体器件>>31.080.01半导体器件综合
发布日期:2025-12-02    实施日期:2025-12-02
简介: 本文件规定了PN结温度传感器的标志、基本额定值、特性。 本文件适用于半导体PN结温度传感器,描述了相应的能用来确定各类PN结温度传感器的特性。
标准定价: ¥ 44.0 元      
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