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 电子学>>31.080半导体器件 发布日期:2024-11-19    实施日期:2024-11-19 简介: 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）动态栅偏试验方法，包括：试验条件、测试方法、应用范围以及失效判据。 本文件适用于对SiC MOSFET栅氧质量的评估，主要包括芯片、分立器件、模块。 标准定价: ￥ 31.0 元         T/CASAS 044-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）高压高温高湿反偏试验方法  (现行) 中标分类:  >>电子元器件与信息技术>>L40/49半导体分立器件 ICS 分类:  电子学>>31.080半导体器件 发布日期:2024-11-19    实施日期:2024-11-19 简介: 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）高压高温高湿反偏试验方法，包括：试验装置、试验程序以及失效判据。 本文件适用范围：SiC MOSFET分立功率器件，功率模块。 标准定价: ￥ 31.0 元         T/CASAS 033-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法  (现行) 中标分类:  >>电子元器件与信息技术>>L40/49半导体分立器件 ICS 分类:  电子学>>31.080半导体器件 发布日期:2024-11-19    实施日期:2024-11-19 简介: 本文件描述了双脉冲测试条件下SiC MOSFET功率器件开关动态测试的术语和定义、符号、测试电路、测试条件、测试仪器、测试方法、计量方法等相关内容。 本文件适用于分立器件和功率模块等封装SiC MOSFET功率器件的开关动态测试与评估，对于SiC ... 标准定价: ￥ 38.0 元         T/CASAS 046-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法  (现行) 中标分类:  >>电子元器件与信息技术>>L40/49半导体分立器件 ICS 分类:  电子学>>31.080半导体器件 发布日期:2024-11-19    实施日期:2024-11-19 简介: 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）的动态反偏(DRB)试验方法，用于评估高dV/dt对芯片内部结构快速充电导致的老化。 本文件适用于单管级和模块级SiC MOSFET。 标准定价: ￥ 31.0 元         T/CASAS 042-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）高温栅偏试验方法  (现行) 中标分类:  >>电子元器件与信息技术>>L40/49半导体分立器件 ICS 分类:  电子学>>31.080半导体器件 发布日期:2024-11-19    实施日期:2024-11-19 简介: 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）高温栅偏试验方法，包括：试验装置、试验程序以及失效判据。 本文件适用范围：SiC MOSFET分立功率器件，功率模块。 标准定价: ￥ 31.0 元         T/CASAS 037-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）栅极电荷测试方法  (现行) 中标分类:  >>>> ICS 分类:  电子学>>31.080半导体器件 发布日期:2024-11-19    实施日期:2024-11-19 简介: 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）的栅极电荷测试方法，包括：测试原理、测试电路、测试条件以及数据处理方法。 本文件仅适用于增强型N沟道垂直SiC MOSFET器件特性表征及可靠性测试等工作场景，可用于以下测试目标 ... 标准定价: ￥ 38.0 元         T/CASAS 047-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态高温高湿反偏(DH3TRB)试验方法  (现行) 中标分类:  >>>> ICS 分类:  电子学>>31.080半导体器件 发布日期:2024-11-19    实施日期:2024-11-19 简介: 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）的动态高温高湿反偏(DH3TRB)试验方法，用于评估高温高湿高dV/dt对芯片内部结构快速充电导致的老化。 本文件适用于单管级和模块级SiC MOSFET。 标准定价: ￥ 31.0 元         T/CASAS 021-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFE阈值电压测试方法  (现行) 中标分类:  >>电子元器件与信息技术>>L40/49半导体分立器件 ICS 分类:  电子学>>31.080半导体器件 发布日期:2024-11-19    实施日期:2024-11-19 简介: 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）阈值电压测试方法。 本文件适用于N沟道SiCMOSFET晶圆、芯片及封装产品的测试。 标准定价: ￥ 38.0 元         DB32/T 4870-2024 中医膏方临床应用与制备工艺规范  (现行) 中标分类:  医药、卫生、劳动保护>>医药>>C10医药综合 ICS 分类:  01.040.00 发布日期:2024-10-18    实施日期:2024-10-18 简介: 本文件给出了中医膏方的分类，规定了中医膏方的处方开具、服用人群、用法忌口、用药忌口、膏前调治、用药安全和制备工艺等要求。 本文件适用于中医膏方的临床应用与制备。 标准定价: ￥ 38.0 元         DB32/T 4866-2024 儿童福利机构类家庭服务规范  (现行) 中标分类:  综合>>基础标准>>A20综合技术 ICS 分类:  社会学、 服务、公司(企业)的组织和管理、行政、运输>>服务>>03.080.99其他服务 发布日期:2024-10-18    实施日期:2024-10-18 简介: 本文件规定了儿童福利机构（以下简称“机构”）类家庭服务的总体要求、服务对象、场所及设施设备、服务流程、服务内容及要求、服务保障以及服务质量控制要求。 本文件适用于机构类家庭服务。 标准定价: ￥ 38.0 元         DB32/T 4868-2024 天然气加气站计量管理规范  (现行) 中标分类:  综合>>经济、文化>>A10商业、贸易、合同 ICS 分类:  社会学、 服务、公司(企业)的组织和管理、行政、运输>>03.100公司(企业)的组织与管理 发布日期:2024-10-18    实施日期:2024-10-18 简介: 本文件规定了天然气加气站计址组织保障、计缱器具、诚信计址、计址宣传和计斌纠纷处置的要求。 本文件适用于从事贸易结算的天然气加气站的计量管理活动，包括压缩天然气（CNG）加气站、液化天然气（LNG）加气站和液化天然气转压缩天然气（L-CNG）加气站。 标准定价: ￥ 31.0 元         DB32/T 4869-2024 恶臭污染物现场嗅辨技术规范  (现行) 中标分类:  环境保护>>环境保护采样、分析测试方法>>Z23工业废水、污染物分析方法 ICS 分类:  环保、保健与安全>>>>13.060.30污水 发布日期:2024-10-18    实施日期:2024-10-18 简介: 本文件描述了恶臭污染物的现场嗅辨方法原理，规定了人员及仪器要求、工作程序、质量保证和质量控制等内容。 本文件适用于环境空气和无组织废气臭气强度等级和种类的现场判定与辨别。 水域恶臭污染物现场嗅辨可参照本文件执行。 生活源导致的恶臭污染现场嗅辨不 ... 标准定价: ￥ 31.0 元         找到244578条相关标准，共16306页 [473] [474] [475] [476] [477] [478] [479] [480] 481 [482] [483] [484] [485] [486] [487] [488] [489] [下一页]

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