| 标准编号 |
标准名称 |
发布部门 |
实施日期 |
状态 |
| GB 12300-1990 |
功率晶体管安全工作区测试方法 |
国家技术监督局
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1990-08-01 |
现行 |
| JJG (电子) 04002-1987 |
BJ3030型高频小功率晶体管Cc.rbb乘积测试仪(试行) |
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1996-04-01 |
现行 |
| JJG (电子) 04011-1987 |
QG21-QG25型高频小功率晶体管fT测试仪(试行) |
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1996-04-01 |
现行 |
| JJG (电子) 04012-1987 |
BJ3022(QJ-30)型低频大功率晶体管fT测试仪(试行) |
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1996-04-01 |
现行 |
| JJG (电子) 04015-1988 |
QZ3、QZ4型高频小功率晶体管NF测试仪(试行) |
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1996-04-01 |
现行 |
| JJG (电子) 04047-1995 |
QG-6、QG-16型高频小功率晶体管fT参数测试仪试行检定规程 |
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2004-07-01 |
现行 |
| SJ/T 11225-2000 |
电子元器件详细规范 3DA504型S波段硅脉冲功率晶体管 |
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2000-10-01 |
现行 |
| SJ/T 11226-2000 |
电子元器件详细规范 3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管 |
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2000-10-01 |
现行 |
| SJ/T 11227-2000 |
电子元器件详细规范 3DA98型NPN硅高频大功率晶体管 |
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2000-10-01 |
现行 |
| SJ/T 11848-2022 |
半导体分立器件3DG2484型NPN硅高频小功率晶体管详细规范 |
工业和信息化部
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2023-01-01 |
现行 |
| SJ/T 11849-2022 |
半导体分立器件3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率晶体管详细规范 |
工业和信息化部
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2023-01-01 |
现行 |
| SJ/T 1472-2016 |
半导体分立器件 3CG110型硅PNP高频小功率晶体管详细规范 |
工业和信息化部
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2016-09-01 |
现行 |
| SJ/T 1477-2016 |
半导体分立器件 3CG120型硅ＰＮＰ高频小功率晶体管详细规范 |
工业和信息化部
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2016-09-01 |
现行 |
| SJ/T 1480-2016 |
半导体分立器件 3CG130型硅ＰＮＰ高频小功率晶体管详细规范 |
工业和信息化部
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2016-09-01 |
现行 |
| SJ/T 1486-2016 |
半导体分立器件 3CG180型硅ＰＮＰ高频高反压小功率晶体管详细规范 |
工业和信息化部
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2016-09-01 |
现行 |
| SJ 20014-1992 |
半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级３ＣＧ１１０型ＰＮＰ硅小功率晶体管详细规范 |
中国电子工业总公司
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1992-05-01 |
现行 |
| SJ 20015-1992 |
半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级３ＤＧ１３０型ＮＰＮ硅高频小功率晶体管详细规范 |
中国电子工业总公司
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1992-05-01 |
现行 |
| SJ 20059-1992 |
半导体分立器件 ３ＤＧ１１１型ＮＰＮ硅高频小功率晶体管详细规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
| SJ 20060-1992 |
半导体分立器件 ３ＤＧ１２０型ＮＰＮ硅高频小功率晶体管详细规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
| SJ 20175-1992 |
半导体分立器件 ３ＤＧ９１８型ＮＰＮ硅超高频小功率晶体管详细规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
| SJ 20183-1992 |
半导体分立器件 ３ＤＤ６型功率晶体管详细规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
| SJ 20310-1993 |
半导体分立器件 ３ＤＤ１０１型功率晶体管详细规范 |
电子工业部
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1993-07-01 |
现行 |
| SJ 20514-1995 |
微波功率晶体管用硅外延片规范 |
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1995-12-01 |
现行 |
| SJ 2672.1-1986 |
电子器件详细规范 ３ＤＡ３０１型１７５ＭＨｚ管壳额定的低电压双极型功率晶体管 |
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1987-06-01 |
废止 |
| SJ 2672.2-1986 |
电子器件详细规范 ３ＤＡ３０２型１７５ＭＨｚ管壳额定的低电压双极型功率晶体管 |
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1987-06-01 |
废止 |