标准编号 |
标准名称 |
发布部门 |
实施日期 |
状态 |
SJ 20133-1992 |
军用电子设备结构设计程序 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20134-1992 |
军用电子设备噪声控制要求 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20135-1992 |
电子设备振动检测与故障诊断方法 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20136-1992 |
军用电子设备冲击测试方法 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20137-1992 |
印制板组装件抗振动冲击技术要求和测试方法 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20138-1992 |
掺钕钇铝石榴石激光棒规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20139-1992 |
军用温差电致冷组件最大致冷功率的试验方法 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ/Z 2014-1982 |
质量管理名词术语 |
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1982-01-28 |
废止 |
SJ 20140-1992 |
军用温差电致冷组件失效率试验方法 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20141-1992 |
TES1-01212TT温差电致冷组件规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20142-1992 |
军用集成电路用微晶玻璃基片 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20143-1992 |
电子器件用钨丝规范 |
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20144-1992 |
电子器件用钼杆、钼丝、钼片规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20145-1992 |
军用覆铂钼丝规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20146-1992 |
银电镀层总规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20147.1-1992 |
银和银合金镀覆层厚度测量方法 X射线荧光光谱法 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20147.2-1992 |
银和银合金镀覆层测试方法 残留盐分的测定 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20148-1992 |
军用雷达双色指示管用Y19荧光粉 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20149-1992 |
电容器用铝金属化聚酯薄膜规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ/Z 2015-1982 |
管理图总则 |
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2000-07-01 |
作废 |
SJ 20150-1992 |
电容器用铝金属化聚丙烯薄膜规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20151-1992 |
电子器件用镍带规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20152-1992 |
电子器件用镍棒、镍丝规范试验方法 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20153-1992 |
通道级电源控制接口 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20154-1992 |
信息技术设备静电放电敏感度试验 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20155-1992 |
射频辐射吸收体(微波吸收材料)的通用规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20156-1992 |
电源中减小电磁干扰的设计指南 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20157-1992 |
半导体集成电路JT54LS32和JT54LS86型LS—TTL或门详细规范 |
机械电子工业部
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20158-1992 |
半导体集成电路JT54S151、JT54S153和JT54S157型S—TTL 数据选择器详细规范 |
机械电子工业部
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20159-1992 |
半导体集成电路JT54LS155和JT54LS156型LS—TTL 译码器详细规范 |
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20160-1992 |
半导体集成电路JT54S194和JT54S195型S—TTL 移位寄存器详细规范 |
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20161-1992 |
半导体集成电路JT54LS273(373、374和377)型LS—TTL 可级联触发器详细规范 |
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20162-1992 |
半导体集成电路JT54LS283型LS—TTL 四位二进制超前进位全加器详细规范 |
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20163-1992 |
半导体集成电路Jμ8086型微处理器详细规范 |
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20164-1992 |
电子管 J305βγ型辐射计数管详细规范 |
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20165-1992 |
电子管 J405γ型辐射计数管详细规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20166-1992 |
电子管SF—1213型硫化锑视像管详细规范 |
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20167-1992 |
电子管SF—1403型硅增强靶摄像管详细规范 |
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20168-1992 |
半导体分立器件 3DK12型功率开关晶体管详细规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |
SJ 20169-1992 |
半导体分立器件 3DK36型功率开关晶体管详细规范 |
中国电子工业总公司
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1993-05-01 |
现行 |