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硅外延用三氯氢硅化学分析方法 硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷和锑量的测定 电感耦合等离子体质谱法
标准编号：
GB/T 29056-2012
标准状态：
现行
标准价格：
29.0
元
客户评分：
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标准简介
本标准规定了用电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)测定硅外延用三氯氢硅(SiHCl3)中硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷、锑等痕量元素含量的方法。
本标准适用于硅外延用三氯氢硅(SiHCl3)中硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷、锑等含量的测定。
英文名称：
Trichlorosilane for silicon epitaxy—Determination of boron,aluminium,phosphorus,vanadium,chrome,manganese,iron,cobalt,nickel,copper,arsenic,molybdenum and antimony content—Inductively coupled plasma mass spectrometric method
中标分类：
电子元器件与信息技术
>>
电子设备专用材料、零件、结构件
>>
L90电子技术专用材料
ICS分类：
31.030
发布部门：
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期：
2012-12-31
实施日期：
2013-10-01
提出单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
主管部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
起草单位：
南京中锗科技股份有限公司、南京大学现代分析中心、南京大学国家863计划新材料MO 源研究开发中心
起草人：
郑华荣、刘新军、龚磊荣、张莉萍、黄和明、陈逸君、虞磊
页数：
12页
出版社：
中国标准出版社
出版日期：
2013-10-01
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前言
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。
本标准起草单位:南京中锗科技股份有限公司、南京大学现代分析中心、南京大学国家863计划新材料MO 源研究开发中心。
本标准主要起草人:郑华荣、刘新军、龚磊荣、张莉萍、黄和明、陈逸君、虞磊。
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