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碳化硅单晶位错密度的测试方法

国家标准
标准编号:GB/T 41765-2022 标准状态:现行
标准价格:31.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
本文件规定了碳化硅单晶位错密度的测试方法。
本文件适用于晶面偏离面、偏向<11?2 0>方向0°~8°的碳化硅单晶位错密度的测试。
英文名称:  Test method for dislocation density of monocrystalline silicon carbide
什么是中标分类? 中标分类:  冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法
什么是ICS分类?  ICS分类:  冶金>>77.040金属材料试验
发布部门:  国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期:  2022-10-12
实施日期:  2023-05-01
提出单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
什么是归口单位? 归口单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
起草单位:  北京天科合达半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司
起草人:  彭同华、佘宗静、娄艳芳、王大军、赵宁、王波、郭钰、杨建、李素青
页数:  16页
出版社:  中国标准出版社
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本标准相关公告
·中华人民共和国国家标准批准发布公告2022年第13号 [2022-10-27]

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