工标网 回首页
标准分类  最新标准New!  标准公告 标准动态  标准论坛
 高级查询
帮助 | 登录 | 注册
查标准上工标网 免费查询标准最新替代作废信息
 您的位置:工标网 >> >> GB/T 44513-2024

微机电系统(MEMS)技术 传感器用MEMS压电薄膜的环境试验方法

国家标准
标准编号:GB/T 44513-2024 标准状态:即将实施
标准价格:43.0 客户评分:星星星星1
立即购买工即可享受本标准状态变更提醒服务!
点击放入购物车 如何购买?问客服 放入收藏夹,免费跟踪本标准更替信息! 参与评论本标准
标准简介
本文件描述了在环境应力(温度和湿度)、机械应力和应变下,评估MEMS压电薄膜材料耐久性的试验方法,以及用于质量评估的试验条件。本文件具体描述了在温度、湿度条件和外加电压下测量被测器件耐久性的试验方法和试验条件。
本文件适用于评估MEMS压电薄膜材料的耐久性和质量,也适用于评估在硅衬底上形成的压电薄膜的正压电性能,例如用作声学传感器或悬臂式传感器的压电薄膜。
本文件不包括可靠性评估,如基于威布尔分布预测压电薄膜寿命的方法。
英文名称:  Micro-electromechanical systems(MEMS) technology—Environmental test methods of MEMS piezoelectric thin films for sensor application
标准状态:  即将实施
什么是中标分类? 中标分类:  电子元器件与信息技术>>微电路>>L59微型组件
什么是ICS分类?  ICS分类:  电子学>>半导体器件>>31.080.99其他半导体器件
什么是采标情况? 采标情况:  IEC 62047-37:2020
发布部门:  国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期:  2024-09-29
实施日期:  2025-01-01  即将实施 距离实施日期还有39
提出单位:  全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC 336)
什么是归口单位? 归口单位:  全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC 336)
起草单位:  昆山昆博智能感知产业技术研究院有限公司、中用科技有限公司、中机生产力促进中心有限公司、苏州大学、成都航天凯特机电科技有限公司、武汉大学、北京智芯微电子科技有限公司、无锡华润上华科技有限公司、昆山双桥传感器测控技术有限公司、深圳市美思先端电子有限公司等
起草人:  陈立国 江大白 李根梓 刘会聪 蒋礼平 刘胜 方东明 夏长奉 王冰 周维虎 许宙 钟鸣 张硕 孙旭辉 夏燕 娄亮 程新利 杨剑宏 陈志文 张中飞 胡增 商艳龙 王阳俊 高峰 卢弈鹏 袁长作 仲胜利 李海全 钱勇国
页数:  20页
出版社:  中国标准出版社
相关搜索: 微机电系统  [ 评论 ][ 关闭 ]

微型组件相关标准 第1页 第2页 第3页 第4页 第5页 更多>> 
 GB/T 44531-2024 微机电系统(MEMS)技术 基于MEMS技术的车规级压力传感器技术规范
 GB/T 44515-2024 微机电系统(MEMS)技术 MEMS压电薄膜机电转换特性测量方法
 GB/T 26111-2023 微机电系统(MEMS)技术 术语
 GB/T 42158-2023 微机电系统(MEMS)技术 微沟槽和棱锥式针结构的描述和测量方法
 GB/T 42191-2023 MEMS压阻式压力敏感器件性能试验方法
 GB/T 42597-2023 微机电系统(MEMS)技术 陀螺仪
 GB/T 42895-2023 微机电系统(MEMS)技术 硅基MEMS微结构弯曲强度试验方法
 GB/T 42896-2023 微机电系统(MEMS)技术 硅基MEMS纳尺度结构冲击试验方法
 GB/T 42897-2023 微机电系统(MEMS)技术 硅基MEMS纳米厚度膜抗拉强度试验方法
 SJ 20527/5-2002 微波组件 WFK170018型单刀七掷开关详细规范
 免费下载微型组件标准相关目录

其他半导体器件相关标准 第1页 
 GB/T 15449-1995 管壳额定开关用场效应晶体管空白详细规范
 GB/T 15450-1995 硅双栅场效应晶体管空白详细规范
 GB/T 15529-1995 半导体发光数码管空白详细规范
 GB/T 15651.6-2023 半导体器件 第5-6部分:光电子器件 发光二极管
 GB/T 32817-2016 半导体器件 微机电器件 MEMS总规范
 GB/T 41852-2022 半导体器件 微机电器件 MEMS结构黏结强度的弯曲和剪切试验方法
 GB/T 41853-2022 半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量
 GB/T 43493.1-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类
 GB/T 43493.2-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分:缺陷的光学检测方法
 GB/T 43493.3-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分:缺陷的光致发光检测方法
 免费下载其他半导体器件标准相关目录

 发表留言
内 容
  用户:   口令:  
 
 
客服中心
有问题?找在线客服 点击和客服交流,我们的在线时间是:工作日8:30至18:00,节假日;9:00至17:00。工标网欢迎您和我们联系!
未开通400地区或小灵通请直接拨打0898-3137 2222 400-7255-888
客服QQ 1197428036 992023608
MSN或电子邮件 18976748618 13876321121
温馨提示:标准更新替换较快,请注意您购买的标准时效性。
常见问题 帮助中心
我为什么找不到我想要的标准?
配送范围、配送时间和收费标准
如何付款,支持哪些付款方式?
必备软件下载
Adobe Acrobat Reader 是一个查看、 阅读和打印PDF文件的最佳工具,通 过它可以查阅本站的标准文档
pdf下载
搜索更多
google 中搜索:GB/T 44513-2024 微机电系统(MEMS)技术 传感器用MEMS压电薄膜的环境试验方法
baidu 中搜索:GB/T 44513-2024 微机电系统(MEMS)技术 传感器用MEMS压电薄膜的环境试验方法
yahoo 中搜索:GB/T 44513-2024 微机电系统(MEMS)技术 传感器用MEMS压电薄膜的环境试验方法
soso 中搜索:GB/T 44513-2024 微机电系统(MEMS)技术 传感器用MEMS压电薄膜的环境试验方法
中搜索:GB/T 44513-2024 微机电系统(MEMS)技术 传感器用MEMS压电薄膜的环境试验方法
 
付款方式 - 关于我们 - 帮助中心 - 联系我们 - 诚聘英才 - 合作伙伴 - 使用条款
QQ:1197428036 992023608 有问题? 联系在线客服
Copyright © 工标网 2005-2023,All Right Reserved