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| 英文名称： |
Test method for dislocation imaging in Ⅲ-nitride semiconductor materials—Transmission electron microscopy |
| 标准状态： |
即将实施 |
 中标分类： |
冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法 |
| ICS分类： |
冶金>>77.040金属材料试验 |
| 发布部门： |
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2024-09-29 |
| 实施日期： |
2025-04-01
即将实施 距离实施日期还有129天 |
| 提出单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 归口单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 起草单位： |
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司、江苏第三代半导体研究院有限公司、苏州科技大学、北京大学、国家纳米科学中心、北京大学东莞光电研究院、东莞市中镓半导体科技有限公司、TCL环鑫半导体(天津)有限公司、苏州大学等 |
| 起草人： |
曾雄辉 董晓鸣 苏旭军 牛牧童 王建峰 徐科 王晓丹 徐军 郭延军 陈家凡 王新强 颜建锋 敖松泉 唐明华 闫宝华 李艳明 |
| 页数： |
16页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |