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| 英文名称： |
Test method for stacking faults of polished monocrystalline silicon carbide wafers |
| 标准状态： |
即将实施 |
 中标分类： |
冶金>>金属化学分析方法>>H17半金属及半导体材料分析方法 |
| ICS分类： |
冶金>>77.040金属材料试验 |
| 发布部门： |
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2026-01-28 |
| 实施日期： |
2026-08-01
即将实施 距离实施日期还有103天 |
| 提出单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 归口单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 起草单位： |
山东天岳先进科技股份有限公司、广东天域半导体股份有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、南京百识电子科技有限公司、南京盛鑫半导体材料有限公司、安徽长飞先进半导体股份有限公司、西安龙威半导体有限公司、浙江晶越半导体有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司等 |
| 起草人： |
张红岩、陈延昌、付健行、杨世兴、宋生、丁雄杰、薛宏伟、胡智威、韩旭、刘红超、马林宝、欧阳鹏根、高冰、佘宗静、潘尧波、胡惠娜、刘小平、陈基生 |
| 页数： |
12页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |