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纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范

国家标准
标准编号:GB/T 33657-2017 标准状态:现行
标准价格:31.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
本标准规定了纳米尺度相变存储单元读写擦参数的晶圆测试规范,其测试结果可用于表征相变存储材料或器件的电学可操作性能。本标准适用于以硫系化合物为主要原料,基于半导体晶圆工艺加工制造的电极尺度小于100 nm的相变存储单元,100 nm~300 nm的相变存储单元也可参照本标准执行。本标准不适用于包含外围驱动电路的存储单元。
英文名称:  Nanotechnologies—Electrical operating parameter test specification of wafer level nano-scale phase change memory cells
什么是中标分类? 中标分类:  电子元器件与信息技术>>微电路>>L56半导体集成电路
什么是ICS分类?  ICS分类:  电子学>>31.200集成电路、微电子学
发布部门:  中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期:  2017-05-12
实施日期:  2017-12-01
复审日期:  2023-12-28
提出单位:  中国科学院
什么是归口单位? 归口单位:  全国纳米技术标准化技术委员会(SAC/TC 279)
起草单位:  中国科学院上海微系统与信息技术研究所
起草人:  陈一峰、陈小刚、宋志棠
页数:  16页【彩图】
出版社:  中国标准出版社
出版日期:  2017-05-01
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本标准相关公告
·中华人民共和国国家标准批准发布公告2017年第11号 [2017-05-18]

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