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半导体器件大气中子单粒子效应试验方法与程序

国家标准
标准编号:T/CIE 119-2021 标准状态:现行
标准价格:26.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
本文件确立了使用散裂中子源对半导体器件进行大气中子单粒子效应加速试验的方法与程序。
本文件适用于航空、地面等应用环境中半导体集成电路和半导体分立器件的中子单粒子效应敏感性检测试验。该环境下的中子来源于初始高能宇宙射线与大气的相互作用,主要为热中子和能量高于1 MeV的高能中子。
本文件适用的单粒子效应包括大气中子在半导体器件中引起的单粒子翻转、单粒子瞬态、单粒子功能中断、单粒子锁定、单粒子烧毁、单粒子栅穿等。
本文件不适用于α粒子引起的单粒子效应。
英文名称:  Test method and procedure of atmospheric-neutron induced single event effects in semiconductor devices
什么是中标分类? 中标分类:  电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L40半导体分立器件综合
什么是ICS分类?  ICS分类:  电子学>>半导体器件>>31.080.01半导体器件综合
发布部门:  中国电子学会
发布日期:  2021-11-22
实施日期:  2022-02-01
提出单位:  中国电子学会可靠性分会
什么是归口单位? 归口单位:  中国电子学会可靠性分会
起草单位:  工业和信息化部电子第五研究所、中国民用航空适航审定中心、散裂中子源科学中心、西北核技术研究院、中国航发商用航空发动机有限责任公司、中国航空综合技术研究所
起草人:  张战刚、雷志锋、黄云、郭雁泽、于全芝、梁天骄、郭红霞、赵振可、王春晓、陈宇、何玉娟、彭超、肖庆中
页数:  16页
出版社:  中国标准出版社
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