| 标准编号 |
标准名称 |
发布部门 |
实施日期 |
状态 |
| GB/T 4937.20-2018 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第20部分：塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响 |
国家市场监督管理总局.
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2019-01-01 |
现行 |
| GB/T 4937.201-2018 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第20-1部分：对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输 |
国家市场监督管理总局.
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2019-01-01 |
现行 |
| GB/T 4937.21-2018 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第21部分：可焊性 |
国家市场监督管理总局.
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2019-01-01 |
现行 |
| GB/T 4937.22-2018 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第22部分：键合强度 |
国家市场监督管理总局.
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2019-01-01 |
现行 |
| GB/T 4937.23-2023 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第23部分：高温工作寿命 |
国家市场监督管理总局.
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2023-12-01 |
现行 |
| GB/T 4937.26-2023 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第26部分：静电放电（ESD）敏感度测试 人体模型（HBM） |
国家市场监督管理总局.
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2024-04-01 |
现行 |
| GB/T 4937.27-2023 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第27部分：静电放电（ESD）敏感度测试 机器模型（MM） |
国家市场监督管理总局.
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2023-12-01 |
现行 |
| GB/T 4937.3-2012 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第3部分：外部目检 |
国家质量监督检验检疫.
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2013-02-15 |
现行 |
| GB/T 4937.30-2018 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第30部分：非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理 |
国家市场监督管理总局.
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2019-01-01 |
现行 |
| GB/T 4937.31-2023 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第31部分：塑封器件的易燃性（内部引起的） |
国家市场监督管理总局.
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2023-12-01 |
现行 |
| GB/T 4937.32-2023 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第32部分：塑封器件的易燃性（外部引起的） |
国家市场监督管理总局.
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2023-12-01 |
现行 |
| GB/T 4937.4-2012 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第4部分：强加速稳态湿热试验（HAST） |
国家质量监督检验检疫.
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2013-02-15 |
现行 |
| GB/T 4937.42-2023 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第42部分：温湿度贮存 |
国家市场监督管理总局.
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2023-12-01 |
现行 |
| GB 4938-1985 |
半导体分立器件接收和可靠性 |
国家标准局
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1985-11-01 |
作废 |
| GB 6801-1986 |
半导体器件基准测试方法 |
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1987-07-01 |
作废 |
| SJ 1267-1977 |
半导体器件用散热器在自然空气冷却状态下的热阻测试方法 |
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1978-01-01 |
废止 |
| SJ 1400-1978 |
半导体器件参数符号 |
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2002-07-01 |
作废 |
| SJ 1400-78 |
半导体器件参数符号 |
|
1979-06-01 |
现行 |
| SJ 1602-1980 |
硅双基极二极管测试方法总则 |
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2002-05-01 |
作废 |
| SJ 1603-1980 |
硅双基极二极管基极间电阻的测试方法 |
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2002-05-01 |
作废 |
| SJ 1604-1980 |
硅双基极二极管发射极与第一基极间反向电流的测试方法 |
|
2002-05-01 |
作废 |
| SJ 1605-1980 |
硅双基极二极管饱和压降的测试方法 |
|
2002-05-01 |
作废 |
| SJ 1606-1980 |
硅双基极管峰点电流的测试方法 |
|
2002-05-01 |
作废 |
| SJ 1607-1980 |
硅双基极二极管调制电流的测试方法 |
|
2002-05-01 |
作废 |
| SJ 1608-1980 |
硅双基极二极管各点电压和各点电流的测试方法 |
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2002-05-01 |
作废 |
| SJ 1609-1980 |
硅双基极二极管分压比的测试方法 |
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2002-05-01 |
作废 |
| SJ 50033/154-2002 |
半导体分立器件 3DG251型硅超高频低噪声晶体管详细规范 |
信息产业部
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2003-03-01 |
现行 |
| SJ 50033/155-2002 |
半导体分立器件 3DG252型硅微波线性晶体管详细规范 |
信息产业部
|
2003-03-01 |
现行 |
| SJ 50033/156-2002 |
半导体分立器件 3DA505型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 |
信息产业部
|
2003-03-01 |
现行 |
| SJ 50033/157-2002 |
半导体分立器件 3DA506型硅微波脉冲功率晶体管详细规范 |
信息产业部
|
2003-03-01 |
现行 |
| SJ 50033/158-2002 |
半导体分立器件 3DG44型硅超高频低噪声晶体管详细规范 |
信息产业部
|
2003-03-01 |
现行 |
| SJ 50033/159-2002 |
半导体分立器件 3DG142型硅超高频低噪声晶体管详细规范 |
信息产业部
|
2003-03-01 |
现行 |
| SJ 50033/160-2002 |
半导体分立器件 3DG122型硅超高频小功率晶体管详细规范 |
信息产业部
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2003-03-01 |
现行 |
| T/CIE 116-2021 |
电子元器件故障树分析方法与程序 |
中国电子学会
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2022-02-01 |
现行 |
| T/CIE 119-2021 |
半导体器件大气中子单粒子效应试验方法与程序 |
中国电子学会
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2022-02-01 |
现行 |
| T/CIE 121-2021 |
逆导型IGBT的热阻测试方法 |
中国电子学会
|
2022-02-01 |
现行 |
| T/CIE 145-2022 |
辐射诱生缺陷的深能级瞬态谱测试方法 |
中国电子学会
|
2023-01-31 |
现行 |
| T/CIE 147-2022 |
空间行波管加速寿命试验评估技术规范 |
中国电子学会
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现行 |
| ZB N 05005-1988 |
霍尔件通用技术条件 |
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1989-07-01 |
作废 |