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半导体器件 金属氧化物半导体(MOS) 晶体管的热载流子试验

国家标准
标准编号:GB/T 45719-2025 标准状态:即将实施
标准价格:31.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
本文件描述了晶圆级的NMOS和PMOS晶体管热载流子试验方法,该试验旨在确定某个CMOS工艺中的单个晶体管是否满足所需的热载流子注入效应的寿命时间。
英文名称:  Semiconductor devices—Hot carrier test on metal-oxide semiconductor(MOS) transistors
标准状态:  即将实施
什么是中标分类? 中标分类:  电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L40半导体分立器件综合
什么是ICS分类?  ICS分类:  电子学>>半导体器件>>31.080.01半导体器件综合
什么是采标情况? 采标情况:  IEC 62416:2010
发布部门:  国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期:  2025-05-30
实施日期:  2025-09-01  即将实施 距离实施日期还有64
提出单位:  中华人民共和国工业和信息化部
什么是归口单位? 归口单位:  全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
起草单位:  工业和信息化部电子第五研究所、西安电子科技大学、国防科技大学、河北北芯半导体科技有限公司、中国电子科技集团公司电子第五十八研究所
起草人:  路国光、章晓文、林晓玲、游海龙、杨少华、彭超、肖庆中、韦覃如、来萍、梁斌、张魁、赵文斌、晋李华
页数:  16页
出版社:  中国标准出版社
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