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半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿(TDDB)试验

国家标准
标准编号:GB/T 45720-2025 标准状态:即将实施
标准价格:43.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
本文件描述了半导体器件栅介质层的时间相关介电击穿(TDDB)试验方法以及TDDB失效的产品寿命时间估算方法。
英文名称:  Semiconductor devices—Time dependent dielectric breakdown(TDDB)test for gate dielectric films
标准状态:  即将实施
什么是中标分类? 中标分类:  电子元器件与信息技术>>微电路>>L55微电路综合
什么是ICS分类?  ICS分类:  电子学>>半导体器件>>31.080.01半导体器件综合
什么是采标情况? 采标情况:  IEC 62374:2007
发布部门:  国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期:  2025-05-30
实施日期:  2025-09-01  即将实施 距离实施日期还有64
提出单位:  中华人民共和国工业和信息化部
什么是归口单位? 归口单位:  全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
起草单位:  工业和信息化部电子第五研究所、吉林华微电子股份有限公司、安徽长麦智能科技有限公司、中国科学院半导体研究所、广东汇芯半导体有限公司、贵州振华风光半导体股份有限公司、河北北芯半导体科技有限公司、东莞赛诺高德蚀刻科技有限公司等
起草人:  陈义强、来萍、高汭、蔡荣敢、冯宇翔、王力纬、董显山、肖庆中、陈媛、常江、刘岳阳、刘岗岗、裴选、张亮旗、冯军宏、迟雷、夏自金、刘世文
页数:  24页
出版社:  中国标准出版社
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