GB/T 15529-1995 半导体发光数码管空白详细规范国家标准(GB)-工标网

高级查询

您的位置:工标网 >> 国家标准(GB) >> GB/T 15529-1995

标准简介

本空白详细规范规定了制定半导体发光数码管详细规范的基本原则。制定该规范范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致。


英文名称：	Blank detail specification for LED numeric displays
替代情况：	作废;
中标分类：	电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L45微波、毫米波二、三极管
ICS分类：	电子学>>半导体器件>>31.080.99其他半导体器件
UDC分类：	621.383
发布部门：	国家技术监督局
发布日期：	1995-04-06
实施日期：	1995-01-01
首发日期：	1995-04-06
复审日期：	2023-12-28
归口单位：	信息产业部（电子）
主管部门：	信息产业部（电子）
起草单位：	苏州半导体总厂
页数：	平装16开，页数：13，字数：21千字
出版社：	中国标准出版社
标准前页：	浏览标准前文 \|\| 下载标准前页

微波、毫米波二、三极管相关标准	第1页
GB/T 12561-1990 发光二极管空白详细规范(可供认证用)
GB/T 36361-2018 LED加速寿命试验方法
GB/T 36362-2018 LED应用产品可靠性试验的点估计和区间估计（指数分布）
GB/T 36613-2018 发光二极管芯片点测方法
SJ/T 11393-2009 半导体光电子器件功率发光二极管空白详细规范
SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范
SJ/T 11399-2009 半导体发光二极管芯片测试方法
SJ/T 11401-2009 半导体发光二极管产品系列型谱
免费下载微波、毫米波二、三极管标准相关目录

其他半导体器件相关标准	第1页
GB/T 26111-2023 微机电系统（MEMS）技术术语
GB/T 32817-2016 半导体器件微机电器件 MEMS总规范
GB/T 41852-2022 半导体器件微机电器件 MEMS结构黏结强度的弯曲和剪切试验方法
GB/T 41853-2022 半导体器件微机电器件晶圆间键合强度测量
GB/T 42158-2023 微机电系统（MEMS）技术微沟槽和棱锥式针结构的描述和测量方法
GB/T 42191-2023 MEMS压阻式压力敏感器件性能试验方法
GB/T 42597-2023 微机电系统（MEMS）技术陀螺仪
GB/T 43493.1-2023 半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第1部分：缺陷分类
GB/T 43493.2-2023 半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第2部分：缺陷的光学检测方法
GB/T 43493.3-2023 半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第3部分：缺陷的光致发光检测方法
免费下载其他半导体器件标准相关目录

发表留言

客服中心

有问题？找在线客服

温馨提示：标准更新替换较快，请注意您购买的标准时效性。

常见问题

您可能还需要

必备软件下载

Adobe Acrobat Reader 是一个查看、阅读和打印PDF文件的最佳工具，通过它可以查阅本站的标准文档

搜索更多

购书咨询:0898-3137-2222/13876321121 客服热线:400-7255-888 (工作日8:30-18:00、节假日9:00-17:00)