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| SJ/T 12009-2025 集成电路蚀刻型引线框架
(现行)
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中标分类:
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ICS 分类:
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发布日期:2025-08-19
实施日期:2025-08-19
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| 简介:
本文件规定了集成电路蚀刻型引线框架的术语、定义和缩略语、原材料要求、技术要求和试验方法及检验规则等。
本文件适用于裸铜、铜镀银、铜镀镍钯金等集成电路蚀刻型引线框架，封装类型主要包括 QFN、DFN、FBP、 QFP、SOT、SOD、SOP、DIP、 ...
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标准定价: ￥
0.0 元
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| SJ/T 12015-2025 碳化硅颗粒/铝合金基复合板
(现行)
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中标分类:
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ICS 分类:
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发布日期:2025-08-19
实施日期:2025-08-19
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| 简介:
本文件规定了碳化硅颗粒/铝合金基复合板的材料、外观、尺寸、镀层质量、性能、试验方法、检验规则以及标识、包装、运输、交付等要求。
本文件适用于采用金属熔体液相复合工艺制备的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）等功率器件封装用碳化硅颗粒/ 铝合金基复合板。
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| 标准定价: ￥
0.0 元
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| SJ/T 12021-2025 功率半导体模块用环氧灌封胶
(现行)
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中标分类:
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ICS 分类:
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发布日期:2025-08-19
实施日期:2025-08-19
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| 简介:
本文件规定了功率半导体模块用环氧灌封胶的技术要求、试验方法、检验规则、标识、包装、运输和贮存。
本文件适用于功率半导体模块用双组份环氧灌封胶。
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| 标准定价: ￥
0.0 元
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| SJ/T 12022-2025 功率半导体模块用有机硅凝胶
(现行)
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中标分类:
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ICS 分类:
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发布日期:2025-08-19
实施日期:2025-08-19
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| 简介:
本文件规定了功率半导体模块用有机硅凝胶的技术要求，试验方法，检验规则，标识、包装、运输和贮存。
本文件适用于功率半导体模块用有机硅凝胶。
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| 标准定价: ￥
0.0 元
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| SJ/T 12023-2025 半导体设备集成电路制造用化学气相淀积（CVD）设备测试方法
(现行)
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中标分类:
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ICS 分类:
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发布日期:2025-08-19
实施日期:2025-08-19
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| 简介:
本文件描述了集成电路制造用化学气相淀积（CVD）设备的测试方法。
本文件适用于集成电路制造中使用的 CVD 设备在技术开发、出厂检测、客户端验证、第三方测试等阶段的测试。
其他半导体产品制造用的 CVD 设备或其他阶段的测试可参照使用。
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| 标准定价: ￥
0.0 元
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| SJ/T 12024-2025 半导体设备集成电路制造用离子注入机测试方法
(现行)
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中标分类:
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ICS 分类:
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发布日期:2025-08-19
实施日期:2025-08-19
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| 简介:
本文件描述了集成电路制造用离子注入机的测试方法。
本文件适用于集成电路制造中使用的离子注入机在技术开发、出厂检测、客户端验证、第三方测试等阶段的测试。
其他半导体产品制造用的离子注入机或其他阶段的测试可参照使用。
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| 标准定价: ￥
0.0 元
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| SJ/T 12036-2025 人工智能芯片云侧推理用深度学习芯片测试指标与测试方法
(现行)
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中标分类:
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ICS 分类:
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发布日期:2025-08-19
实施日期:2025-08-19
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| 简介:
本文件规定了面向云侧推理用深度学习芯片（包含芯片模组和加速卡等形态）的功能指标要求、性能指标要求及相应的测试方法。
本文件适用于芯片生产厂商、应用厂商及第三方机构对面向云侧推理用深度学习芯片的设计、采购、评测。
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| 标准定价: ￥
0.0 元
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| SJ/T 12037-2025 人工智能芯片云侧训练用深度学习芯片测试指标与测试方法
(现行)
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中标分类:
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ICS 分类:
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发布日期:2025-08-19
实施日期:2025-08-19
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| 简介:
本文件规定了面向云侧训练用深度学习芯片（包含芯片模组和加速卡等形态）的功能指标要求、性能指标要求和相应的测试方法。
本文件适用于芯片生产厂商、应用厂商及第三方机构对面向云侧训练用深度学习芯片的设计、采购、评测。
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| 标准定价: ￥
0.0 元
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| SJ/T 12038-2025 模拟芯片设计一致性验证方法
(现行)
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中标分类:
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ICS 分类:
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发布日期:2025-08-19
实施日期:2025-08-19
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| 简介:
本文件描述了模拟芯片设计一致性的验证方法。
本文件适用于设备公司、系统公司等芯片使用方对拟选用模拟芯片的设计一致性进行评估验证，或者芯片公司对所研发芯片的设计一致性进行评估验证。
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| 标准定价: ￥
0.0 元
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