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| 英文名称： |
Test methods for minority carrier lifetime in bulk silicon and germanium—Photoconductivity decay method |
 替代情况： |
替代GB/T 1553-2009 |
| 中标分类： |
冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法 |
| ICS分类： |
冶金>>77.040金属材料试验 |
| 发布部门： |
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2023-08-06 |
| 实施日期： |
2024-03-01
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| 提出单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 归口单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 起草单位： |
有研半导体硅材料股份公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、广州昆德半导体测试技术有限公司、青海芯测科技有限公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司、浙江海纳半导体股份有限公司、洛阳中硅高科技有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司等 |
| 起草人： |
孙燕、宁永铎、李素青、朱晓彤、贺东江、王昕、薛心禄、徐岩、潘金平、严大洲、王彬、蔡云鹏、田新、赵培芝、冉胜国、韩成福、普世坤、蔡丽艳、高源、赵晶、崔丁方 |
| 页数： |
32页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |