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半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法

国家标准
标准编号:GB/T 6616-1995 标准状态:已作废
标准价格:8.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
本标准规定了硅片体电阻率和硅薄膜薄层电阻的非接触涡流测量方法。本标准适用于测量直径或边长大于30mm、厚度为0.1~1mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片(简称硅片)的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。
英文名称:  Test method for measuring resistivity of semiconductor silicon or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gage
标准状态:  已作废
什么是替代情况? 替代情况:  替代GB 6616-1986;被GB/T 6616-2009代替
什么是中标分类? 中标分类:  冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法
什么是ICS分类?  ICS分类:  29.040.30
什么是UDC分类?  UDC分类:  669.782-415;621.317.33
什么是采标情况? 采标情况:  =ASTM F673-90
发布部门:  国家技术监督局
发布日期:  1995-04-18
实施日期:  1995-01-02
作废日期:  2010-06-01
首发日期:  1986-07-26
复审日期:  2004-10-14
什么是归口单位? 归口单位:  全国半导体材料和设备标准化技术委员会
主管部门:  国家标准化管理委员会
起草单位:  电子部标准化所
页数:  平装16开, 页数:7, 字数:9千字
出版社:  中国标准出版社
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本标准相关公告
·中华人民共和国国家标准批准发布公告2009年第12号(总第152号) [2009-11-17]

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